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Ka 頻帶低雜訊放大器和共平面波導低通濾波器
分析設計與實現

研究生：劉 文 淵    指導教授：辛 裕 明 博士
國立中央大學電機工程研究所

摘要

低雜訊放大器（Low Noise Amplifier , LNA）電路實現乃利用穩懋半
導體公司（WIN）下線，提供 0.15 mm PHEMT MMIC 製程技術，設計工
作於 Ka-band 之 30GHz 頻段電路，在被動元件上的設計係採用傳輸線
（Microstrip Line）方式來進行元件之匹配、偏壓電路設計，並利用串接
兩級電路的方式來達到較大的增益輸出，但依舊能保持低雜訊的特性，
藉由 PHEMT 元件較佳的高頻特性，能得到低雜訊、高增益以及高線性
度的輸出。量測結果為 S21 = 13.1 dB、S22 = - 10.7 dB在 30 GHz頻率，而
雜訊指數低於3.16 dB在30 GHz頻率下 。 共平面波導低通濾波器 （Lowpass
Filter, LPF）設計上，利用模擬軟體設計出低通濾波器之結構，接著設計
光罩後將電路實作於陶瓷基板（Al 2O3）製程上，低通濾波器模擬頻寬為
30 GHz，而實際量測結果頻寬偏移至 25 GHz，此時插入損耗約為 3.4 dB。
量測結果在通帶頻率範圍內的插入損耗比模擬約大 1.3 dB，反射損耗在
25 GHz頻率範圍下增加 4 dB以內。附錄中針對使用矽基板製作之矽鍺製
程作分析，以台積電公司（tsmc）提供之 0.35 mm 3P3M SiGe BiCMOS製
程進行基板效應研究，進而研究 Pads寄生純電容效應，了解其等效模型
並帶入模擬系統中，如此可增進模擬準確性，並採用傳輸線設計電感，
以增加 SiGe製程所設計電路之工作頻率，減少不可預知的偏移產生。

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[ 本帖最后由 jeahen 于 2009-2-24 22:03 编辑 ]

看看LNA的设计方法与实现

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是台湾的吧？可以看一看:31bb :31bb

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台湾的论文很多都写得不错的啊，谢谢楼主分享

看了再說：23de ：23de

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好资料，谢谢分享！看LNA:11bb

嗯 是中文的，好书！定一个！开始以为是英文的呢

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下下来学习一下:21bb ：cacakiki0de

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好资料啊，分享之！

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最近要研究这个东东，多谢楼主

学习条件不错，硕士生就可以流30GHz芯片。

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十分感谢楼主发的呀，希望多多发些论文的资料。

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借鑒下，感謝樓主無私的分享！！

{:4_195:}看了再说

看看台湾的同行做的怎么样

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Ka频段  这个 和我的课题有点关系

学一下，谢谢

看看台湾人的水平如何

好资料,看看

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不知道台湾的技术方向任何.

好难得的东西，太好了

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看看台湾的水平，是不是有什么值得学习的地方

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谢谢了，正需要

看LNA的设计方法与实现

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很好的东西，还是台湾的呢

学习下呀

看看LNA的设计方法与实现

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正在学习    有好东西统统分享啊   有贴必回

这个挺不错的～谢谢楼主～～

谢谢

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kanyikna

氧化铝陶瓷基片生产
多孔陶瓷供应  

看频段我就有兴趣

谢谢楼主谢谢楼主谢谢楼主谢谢楼主

好啊
1

学习学习~

看看了

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好东西,正接触这方面的产品

看看哦

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谢谢楼主，学习一下这宝贵资料

射频与微波功率放大器设计

这个看看，滤波器这方面最近在做 产品

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谢谢楼主分享的资料   很好的资料啊

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看下，谢谢