满足WiMAX基站要求的LDMOS RFIC: 20090101_MC_RFD_TS_06.pdf

满足WiMAX基站要求的LDMOS RFIC
作者：Cedric Cassan，Guillermo Rafael-Valdivia
飞思卡尔半导体
用于现代通信系统中的功率放大器(PA)一般是通过级联和并联多个RF晶体管来获得期望的固态增益和功率。与RF集成电路(RFIC)相比，虽然采用单级分离RF晶体管占用的PCB空间更多，但因具有宽广的阻抗匹配范围、优化性能以及架构选择，所以为PA设计提供了很大灵活性。但如何满足WiMAX基站系统对PA的高输出功率、低失真以及高功效的要求呢？本文讨论的基于硅LDMOS技术的RFIC具有足够输出功率，能提供高于15%的效能，能满足3.8GHz WiMAX要求。

用于现代通信系统中的功率放大器(PA)一般是通过级联和并联多个RF晶体管来获得期望的固态增益和功率。与RF集成电路(RFIC)相比，虽然采用单级分离RF晶体管占用的PCB空间更多，但因具有宽广的阻抗匹配范围、优化性能以及架构选择，所以为PA设计提供了很大灵活性。但如何满足WiMAX基站系统对PA的高输出功率、低失真以及高功效的要求呢？本文讨论的基于硅LDMOS技术的RFIC具有足够输出功率，能提供高于15%的效能，能满足3.8GHz WiMAX要求。

谢谢分享，看看！

thanks.......................................

XIEXIELOUZU,学习了