S波段单片四位数控移相器:攫耍 描述了 S波殷单片四位数宇穆相器的电路设计、 工艺制作和性能。采用集总元件的商
通, 低通罔培构成移相网络和 G a As ME S F E T作为开关控制器件 。 利用南京电子器件研究所标准
的离于注人徽渡单片集成电路( MMI c) 翻造工艺, 研翻 出S渡殷单片四位数宇移相器. 该移相器在
设计工作频带内 1 6个移相态具有移相精度商( 均方根误差小于 1 。 ) 、 辘^辘 出驻波好 ( <1 . 4 ) 和较
低的插人损耗 ( <5 . 5 d B) 与插损变化 ( 均方根误差小于 0 . 2 d B) 等优 良的电特性 。芯片足寸为 6 . 4 5
mT n× 1. 4 mm × 0. 2 mm .