GaAs单片移相器设计:摘 要： 本文选择了适于单片微波集成的移相器设计方案， 使用砷化钾( G a A s ) 0 ． 5 m高电子迁移率晶体管
( H E M T ) 工艺原型， 经微波电路 、 电场仿真， 设计出五位移相器， 并试制了 1 8 0 。 位样片。试制样品尺寸 1 ． 5×1 ． 0 m m ，
测试结果性能良好， 在 2 ． 5～ 5 ． 0 G H z 带宽内， 移相起伏小于 1 0 。 ； 在 2 ． 6～3 ． 5 G H z 带宽 内， 移相起伏小于 5 。 ， 同设计
仿真结果基本吻合。
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GaAs单片移相器设计.pdf
