一种新颖的4bit和5bit超宽带GaAs单片数字衰减器.pdf

摘要 ：介绍了一种新颖的 D C～2 0 GHz 的 4 b i t 和 5 b i t   G a As 单片数字衰减器的设计、 制造和测试结果． 该衰减器的
设计采用纵向思维的方法． 最终得到的 4 b i t 数字衰减器的主要性能指标是： 在 D C～2 0 GHz 频带 内， 插入损耗≤
3 ． 5 d B， 最大衰减量 1 5 d B， 衰减步进 l d B ， 衰减平坦度≤O ． 2 d B， 衰减精度≤±0 ． 3 d B， 两端 口所有态的电压驻波比≤
1 ． 6 ， 相对于参考态， 衰减态的插入相移在一1 O 。 ～5 。 以内， 芯片尺寸 1 ． 8 mm×1 ． 6 mm×0 ． 1 mm． 5 b i t 数字衰减器的主
要性能指标是： 在 D C ～2 0 GHz频带 内， 插入损耗≤3 ． 8 d B， 最大衰减量 1 5 ． 5 d B， 衰减步进 0 ． 5 d B， 衰减平坦度≤
0 ． 3 d B ， 衰减精度≤±0 ． 4 d B ， 两端口所有衰减态的电压驻波比≤1 。 8 ， 相对于参考态， 衰减态的插入相移在一1 4 。 ～2 。  
以内， 芯片尺寸 2 ． 0 mm×1 ． 6 mm×0 ． 1 mm．

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