高性能超宽带单片数字衰减器设计与实现:摘要 ：介绍 了一种高性能 5 0 MHz ~2 0 GHz的超宽带 5 b i t Ga As数字衰减器 的设计 、 制造和测试结 果 ， 并着重 介绍实现超宽带 的设计 ． 该衰减器通过标准 0 ， 5 m离子 注人工 艺实 现． 最 终 的单片衰 减器性 能如 下 ： 插入损 耗~ 5 d Bi 最大衰减量~3 1 d B； 两端 口所有态 的电压驻 波 比< 1 ． 5； 所有态 衰减 精度< ±0 ． 3 d B； 相位 变化量 ( 相对 于基 态 ) 在一5 ° ～2 0° 之 间； l d B压缩点输入功率 2 2 d Bm( 1 0 GHz ) 。
[ 本帖最后由 jeahen 于 2008-12-9 15:30 编辑 ]
高性能超宽带单片数字衰减器设计与实现.pdf
