一种超低插损砷化镓射频开关.pdf

摘要 ： 报道 了利用 离子注入技 术研 制出一种用 于手机 的超低插损砷化镓单 片射频单 刀双掷开关 。该 产品在
8 2 0   9 5 0   MHz下 ， 插 入损耗≤0 ． 4   d B， 回波损耗≥ 1 9 ． 5   d B， 反向三阶交调截距 点≥6 7   d Bm， 隔离度≥ 1 5 ． 5   d B，  
控制电压为 ( O， +4 ． 7 5   V) 。  
关键词 ： 砷 化镓 单片 ； 单刀双掷 ； 射频开 关