宽带GaAs微波单片集成单刀单掷开关.pdf

提 要 ：本文报道了采用串、并联FET结构的砷化镓（GaAs）微波单片集成( MMI C) 单刀单掷 ( S P S T) 开关的原理及制作工艺。 在 DC～8 GHz频率范 围内 ， 插入 损 耗 小 于 2 d B， 隔 离 度 大 干 4 0 d B， 反 射 损 耗 大 干 1 5 d B。 并且 具 有较 高的 开 关 速 度 极 低 的 直 流 偏 置 功 率 耗 散 ·。芯 片 足 寸 为 1 X 2 m m 。