宽带GaAsFET微波单片集成单刀双掷开关.pdf

摘要 本文报道了一种采用串、 并联F E T s 结构的Ga A s MMI C单刀双掷开关。芯片尺寸为0 .9 7 X   1 .2 3 mm。  
在D c一1 0 GHz 频率范围内， 插入损耗小于 2 ． 2 d B ， 隔离度大于 3 2 d B， 反射损耗大于 1 2 d B， 开关时间小于 l n s ， 在 5 GHz 下的功率处理能力大于 2 0 d B m。此开关具有极低的直流功率耗散。