高成品率砷化镓DPDT单片射频开关.pdf

摘要 ： 采用砷化镓  7 6   mm  0 ． 7 p ． m 离子注入 MES F ET工艺技术研 制出手机用砷化镓 DP DT单 片射频开关
( 以下简称单片开关) 。该单 片开关 面积 1   3 1 0   I t m×1   2 5 0   p ． m． 总栅宽 3 6   mm． 工作频率 DC～2   GHz ． 1   GHz下插
入损耗 j r L小于0 ． 5 2   d B， 隔离度j r S o大 于1 7   d B． 驻波VS WR≤1 ． 3 ．2   GHz下j r L小于0 ． 7   d B． I S 0大于 l 1   d B． 驻
波≤ 1 ． 3 ． 反向三阶交 词Pm【 优 于 6 4   d B m， 1   W 射频信号下 的栅漏电小于 2 O  A。连续 五批共 6 O片的统计结果表
明． 该单 片开关圆片上芯片 的直流成 品率最低 8 4   ． 最高 9 6   ； 微波参数成品率在 7 5   ～8 6   之间 ． 代 表着国 内
Ga As单片电路成品率的最高水平 。  
关键词 ： 高成 品率 ； 砷化镓； 单片开关
中图分 类号 ： TN3 8 6 ． 6   文献标识码 ： A  文章编号 ： 1 0 0 0 — 3 81   9 ( 2 0 0 3 ) 0 2 — 2 0 2 — 0 3