多个阵元同时激励时,仿真得到的F参数是什么意思，是怎么计算得到的？

NetsFangfang

dear上 发表于 2011-11-25 10:57

                               
登录/注册后可看大图

不惭愧的说，我觉得我的英文还可以，百度谷歌可以找到的话我就不会来论坛了，大家回答问题可不可以诚恳一点 ...

只看帮助文件：

S参数的定义是在其它端口都匹配的前提下，一个端口激励时入射频谱和反射频谱（电压、电流、功率）的比值。
S-Parameter results are given as the ratio of incident and reflected voltage wave spectra at a port, where only one port is excited and all others are perfectly matched

当多于一个端口同时激励时，以上S参数的定义已经不适用。
in the case of simultaneous excitation several ports are stimulated at once, so it is not possible to apply the general S-Parameter definition

此时入射频谱和反射频谱的比值如果按照reference signal归一化，就被称为“入射-反射F参数”。
Now the incident and reflected spectra are given as so-called incident and reflected F-Parameters, all normalized to the spectrum of the reference signal.

在CST MWS中，默认的reference signal是峰值功率为1瓦的高斯信号，那么对于波导端口和S参数形式的离散端口，上面频谱的比值按照1瓦功率归一化就得到F参数。

如果激励端口的反射频谱按照该端口的入射频谱归一化，得到的叫做active S-parameters。
the reflected spectra of all excited ports are normalized to their own incident spectra, respectively, providing so-called active S-Parameters

帮助文件已经解释了所有的问题了。

dear上

非常感谢