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WIN做一个LGA封装要多少钱啊？

zhu370273581

littlemmx 发表于 2012-5-19 12:16

                               
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WIN做一个LGA封装要多少钱啊？

很少人用LGA封装WIN，会牺牲它的一些性能，不过如果想做，小批量的话最高5000美元，最低1000美元。

zhu370273581

MOSIS has compiled the following chart comparing various features to help you better select which IBM process is most appropriate to your application.

In addition to these processes MOSIS also offers IBM processes in the following runs. These processes support ITAR Regulated designs.

IBM SiGe BiCMOS Processes

Feature Size        Process Name        CMOS Vdd [V]        SiGeFt[GHz] | BVceo(1)        Description
High Performace        High Breakdown
0.13ɥm        8HP        1.2, 2.5        200 | 1.77        57 | 3.55        5th generation SiGe technology for advanced RADAR and mmWave applications.
0.18ɥm        7WL        1.8, 2.5, 3.3        60 | 3.3        29 | 6.0        Reduced performance, yet most cost effective SiGe technology offered.
0.35ɥm        5PAe        3.3, 5.0        35 | 5.5        25 | 7.5        Intended for power amplifier applications, this process features Through Wafer Vias (Through Silicon Vias (TSV).
A process comparison including Ft and Fmax can be found at the IBM BiCMOS Key Technology Specifications page.

(1) BVceo is not a voltage limit for biasing unless the NPN is operating under a forced Ib condition. Vce greater than BVceo is allowed for other bias configurations, lower base impedance leading to higher voltage limits.
http://www.mosis.com/vendors/view/ibm/processes_mpw

zhu370273581

ElpidaMemoryInc、PowertechTechnologyInc和UnitedMicroelectronicsCorp.(UMC)在本周组成联盟，以加速开发采用28纳米节点以及其它工艺的3D芯片。

      这些3D设备将采用TSV技术。这项合作将充分利用尔必达(Elpida)公司的DRAM技术、Powertech的组装线和UMC的代工逻辑技术来开发3D设备，其中包括集成了逻辑器件和DRAM的3D设备。

      Tezzaron公司至少和一个代工伙伴展开合伙——CharteredSemiconductorManufacturingPte.Ltd.——这家公司最近被GlobalFoundries收购。

      Mosis为设计人员提供先进的集成电路制造服务。CMC提供设计服务、设计工具、设立测试实验室和为客户安排生产。CMP是IC和MEMS产业中提供原型设计和小批量生产的中介。

      又一个3D(三维)芯片联盟出世。CMP、CMCMicrosystems和Mosis合作推出一项3D多项目晶圆(MPW)服务，以Tezzaron公司的3D芯片技术和GlobalFoundries公司的130纳米CMOS代工工艺为基础。

      首次MPW生产在2011年1月。到时将利用两层面对面的粘接晶圆和针对这两层晶圆的130纳米CMOS工艺。上层将利用TSV和背面金属片用于焊线。此外，还有一套带标准单元和IO库的设计工具包。

      多年以来，Tezzaron一直在致力于研发基于3D晶圆堆栈和硅通孔制程(TSV，Through-Silicon-Via，通过在芯片和芯片之间、晶圆和晶圆之间制作垂直导通，实现芯片之间互连的技术)的高速存储产品。据称将采用Tezzaron公司的FaStack技术用于生产3D芯片。该制程的重点是晶圆的堆栈和焊接过程。

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