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GPTG 碳化硅肖特基二极管裸芯片 固态功放 滤波达人提供资料

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发表于 2021-2-3 11:30:24  | 显示全部楼层 | 阅读模式
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美国GlobalPower Technologies Group(GPTG)碳化硅肖特基二极管裸芯片

碳化硅(SiC)是一种宽带隙的半导体材料,与传统于硅为基础的组件相比,它能够提供更高性能的功率器件,并且比起于氮化镓(GaN)为基础的器件,碳化硅可用于范围更广的电压和电流。碳化硅宽带隙(3.26eV), 高临界磁场(3x106 V/cm)和高导热率(4.9 W/mK)的组合引起更有效率的效果,可以冷却运行和能足以减少系统成本、体积和重量。

我们于碳化硅为基础的高电压肖特基二极管,提供裸片,给予最高效率以及无与伦比的性能。功能包括高浪涌电流、近零反向恢复电流、高带宽以及快速的温度无关切换。这些特点引起了低开关损耗的单相整流,因此取得最高的效率;降低散热器的要求和提高系统功率的密度。GPTG碳化硅肖特基二极管积极有效的电阻率温度系数使并联运行; 而因有了良好的热稳定性而变得更实际。

典型的应用器材包括电机驱动器、开关电源、功率因数校正电路、太阳能逆变器和二极管缓冲器。

VDC
If
Footprint
Spice Model
ModelVDCIfFootprintSpice ModelGDC03S060X600 V3 A0.97 x 1.5mmGP2D003A060X600 V3 A0.97 x 1.5mmGP2D003060GDC06S060X600 V6 A1.45 x 1.5mmGP2D006A060X600 V6 A1.45 x 1.5mmGP2D006060GDC12S060X600 V12 A2.90 x 1.5mmGP2D012A060X600 V12 A2.90 x 1.5mmGP2D012060GP2D003A065X650 V3 A0.97 x 1.5mmGP2D003065GP2D006A065X650 V6 A1.45 x 1.5mmGP2D006065GP2D012A065X650 V12 A2.90 x 1.5mmGP2D012065GP2D005A120X1200 V5 A1.32 x 2.4mmGP2D005A120GDC08S120X1200 V8 A1.41 x 4.1mmGP2D010A120X1200 V10 A2.34 x 2.4mmGP2D010A120GDC15S120X1200 V15 A2.12 x 4.1mmGP2D020A120X1200 V20 A4.38 x 2.4mmGP2D020A120GDC30S120X1200 V30 A4.25 x 4.1mmGP2D005A170X1700 V5 A1.32 x 2.4mmGP2D010A170X1700 V10 A2.34 x 2.4mmGP2D020A170X1700 V20 A4.38 x 2.4mmGP2D030A060X600 V30 A3.5 x 3.5mmGP2D030060GP2D030A120X1200 V30 A3.5 x 3.5mmGP2D030A120GP2D050A060X600 V50 A4.5 x 4.5mmGP2D050060GP2D010A060X600 V10 Avarious mmGP2D010A065X650 V10 Avarious mmGP2D020A060X600 V20 Avarious mmGP2D005A065X650 V5 Avarious mmGP2D020A065X650 V20 Avarious mmGP2D008A120X1200 V8 Avarious mm

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