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Fairchild新型场截止IGBT产品FGH75T65UP工艺解析

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a86389255ff1ef145e5d811fa9209345.jpg 前言: 目前,全球的IGBT市场主要由英飞凌、三菱电机和富士电机掌控,但飞兆半导体的IGBT产品就性能而言,和其他三家主流厂商产品相比毫不逊色。下面,SITRI就飞兆半导体开发出的新型场截止沟道IGBT产品FGH75T65UP_F085做进一步的解析。这颗产品主要应用于光伏逆变器、UPS、电焊机和数码发电机等。 封装平面: Fairchild的FGH75T65UP_F085采用了TO247的封装形式,封装尺寸为36.71 mm X 15.62 mm X 4.74 mm。 28b4cbbc6324b4bb1dc80b58191d6209.jpg 封装X-Ray: 64cc14e95965be70775ccdb98995503e.jpg 芯片基本信息: 下图为这颗IGBT芯片的OM正面照,芯片尺寸为5.36 mm X 5.24 mm。 4c3fd9c1a69ebc682d53fb48daa14702.jpg IGBT芯片Die Corner如下图所示。 f5654c042af66a5d21cb9b7c8ff972dd.jpg 下图是芯片表面连接Gate Poly的PAD,其中直角边的长宽尺寸为412 um X 469 um。 207811e7f564debc135ba4702ad5bdad.jpg 芯片纵向分析: 从纵向分析图来看,这颗芯片总厚度约为92 um。有一层金属和一层钝化层。对于具体的纵向分析以及各种线宽尺寸请见SITRI的FGH75T65UP_F085的工艺分析报告,在这里就不做赘述。 d088f0a9199f20c69faada0b323d62e1.jpg 7fec2a43f396c23e0ba53b85090e85e3.jpg 芯片纵向染色分析(Cell和Guard Ring): 对于IGBT的工艺分析,怎么能少了纵向染色,这里就截取了SITRI对这颗芯片的工艺分析报告中Cell区域和GuardRing区域的纵向染色分析,各有一张,见下图。具体掺杂的深度和尺寸,请详见SITRI报告。 86f02014f5ea4468b76f25f0b6a12d6a.jpg 44014acba66db0216e9d243d222e878f.jpg 芯片背金纵向材料分析: 背金也是IGBT芯片当中一项重要的工艺,下面是这颗芯片的背金材料分析图。 cd4e5c603abbcae3dff4fdb44ecfe768.jpg 总结: 以上是对于FGH75T65UP_F085的工艺解析,最后奉上这颗芯片的基本信息汇总。欲知工艺分析的详细数据或相关信息请见SITRI的工艺分析报告。 d4c9378200a785f9fd57e89707bfbbd4.jpg (本文由SITRI工程信息部原创,未经允许禁止转载) 235c4931e7163610a2cc5f02cfa07f9d.jpg
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