基础元器件知识帖之场效应管

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一、　符号： 　“Q、VT” ，场效应管简称ＦＥＴ，是另一种半导体器件，是通过电压来控制输出电流的，是电压控制器件

　　　　　　　　　　

                               
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　　　 场效应管分三个极：
　　　　　　　Ｄ极为漏极（供电极）　

　　　　　　　Ｓ极为源极（输出极）

　　　　　　　Ｇ极为栅极（控制极）

　　　　　　　Ｄ极和Ｓ极可互换使用　　
　　　　　　　 　　　
　　　 场效应管图例：

　　　　

                               
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二、　场效应管的分类：

　　 场效应管按沟道分可分为Ｎ沟道和Ｐ沟道管（在符号图中可看到中间的箭头方向不一样）。

　　 按材料分可分为结型管和绝缘栅型管，绝缘栅型又分为耗尽型和增强型，一般主板上大多是绝缘栅型管简称ＭＯＳ管，并且大多采用增强型的Ｎ沟道，其次是增强型的Ｐ沟道，结型管和耗尽型管几乎不用。

三、　场效应管的特性：

　　　 1、工作条件：Ｄ极要有供电，Ｇ极要有控制电压

　　　 2、主板上的场管Ｎ沟道多，Ｇ极电压越高，Ｓ极输出电压越高

　　　 3、主板上的场管Ｇ极电压达到12Ｖ时，ＤＳ完全导通，个别主板上5Ｖ导通

　　　 4、场管的ＤＳ功能可互换　　　

Ｎ沟道场管的导通截止电压：

　　　 导通条件：ＶＧ>ＶＳ　，ＶＧＳ=0.45--3Ｖ时，处于导通状态，且ＶＧＳ越大，ＩＤ越大

截止条件：ＶＧ<ＶＳ　，ＩＤ没有电流或有很小的电流
　　　　　　　　　　　　　　
　　　
四、　场效应管的作用：

　　　　放大、调制、谐振、开关
　　　　　　　　　　　　　　　　　
五、　场效应管的测量及好坏判断

　　　1、测量

　　　 极性及管型判断

　　　

　　　　　

                               
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　　　 红笔接Ｓ、黑笔接Ｄ值为（300-800）为Ｎ沟道

　　　 红笔接Ｄ、黑笔接Ｓ值为（300-800）为ｐ沟道

　　　 如果先没Ｇ、Ｄ再没Ｓ、Ｄ会长响，表笔放在Ｇ和最短脚相连放电，如果再长响为击穿

　　　 贴片场管与三极管难以区分，先按三极管没，如果不是按场管测
　　　　　　　　　　　
　　　 场管测量时，最好取下来测，在主板上测量会不准

　　　2、好坏判断　　　 测Ｄ、Ｓ两脚值为（300-800）为正常，如果显示“０”且长响，场管击穿；如果显示“１”，场管为开路　　 　软击穿(测量是好的，换到主板上是坏的），场管输出不受G极控制。

六、　场管的代换原则（只适合主板）
　　　
　　　 场管代换只需大小相同，分清Ｎ沟道Ｐ沟道即可

　　　 功率大的可以代换功率小的

　　　 技嘉主板的场管最好原值代换

七、　主板上常见的场管型号

　　　 N沟道：
　　　　

                               
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　　　　　 702、712、G16、SG、SS、7EW、12KSH、72KGG、KF

　　　 　　

                               
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　　　　　　中等大小的场管：3055、09N05、40N03、45N03

　　　　　　

                               
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　　　　　　外型较大的场管：L3103S、K3296、K3289、6030、7030
　　　　　　　　　　　　　　55N03、76139D、76129S、10N03、15M03
　　　　　　

                               
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　　　　　　 F827、F841、BPS100

　　　　P沟道：

　　　　　　　　　　　　　　　　

                               
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　　　　　　　　　　　　　　　　352A、356

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型 号 参 数 IRFP254 23A 250V 200W IRFP260 46A 200V 280W IRFP264 38A 250V 280W IRFP340 10A 400V 180W IRFP250 33A 200V 190W IRFP350 16A 400V 180W IRFP360 23A 400V 280W IRFP450 14A 500V 180W IRFP460 20A 500V 280W IRFP3710 IRFu120 IRFu9120 IRFD110 IRFD9120 50N06 50A 60V 60N06 60A 60V 70N06 70A 60V 75N06 75A 60V 75N75 75A 75V 80N06 80A60V SSP3N90 3A 900V 25W SSP4N60 4A 600V SSP4N90 4A 900V 140W SSP5N90 5A 900V 150W 6N60 6A 600V 125W 7N90 7A 900V 150W IXFH12N90 12A 900V 300W IXFH12N100 12A 1000V 300W IXFH13N80 13A 800V 280W W20N50 20A 500V 180W IXFH20N60 20A 600V 300W MTW24N40 24A 400V 250W IXFH24N50 24A 500V 250W IXFH26N50 26A 500V 300W IXFH32N50 32A 500V 300W IXFH40N30 40A 300V 300W IRF510 5.6A 100V 20W IRF520 8A 100V 40W IRF530 14A 100V 79W IRF540 28A 100V 150W IRF620 5A 200V 40W IRF630 9A 200V 75W IRF834 8.1A 250V 75W IRF640 18A 200V 125W IRF644 14A 250V 125W IRF730 5.5A 400V 75W IRF740 10A 400V 75W IRF830 4.5A 500V 75W IRF840 8A 500V 125W IRF1010 75A 55V 150W IRF2807 71A 75V 150W IRF3205 98A 55V 150W IRF3710 46A 100V 150W IRF4710 56A 100V 150W IRF9530 12A 100V 88W IRF9540 18A 100V 150W IRF9610 1.8A 200V 20W IRF9620 3.5A 200V 40W IRF9630 6.5A 200V 75W IRF9640 11A 200V 125W IRFBC30 6.2A 600V 74W IRFBC40 6.2A 600V 125W IRFBE30 4.1A 800V 125W IRFBE40 5A 800V 125W IRFPC50 11A 600V 180W IRFPC60 16A 600V 280W IRFPG50 IRFPF30 3.6A 900V 125W IRFPF40 47A 900V 150W IRFPF50 IRFPE50 IRFZ20 15A 50V 40W IRFZ40 51A 60V 150W IRFZ44 50A 60V 190W IRFZ46 33A 55V 45W IRFZ48 40A 55V 45W IRF40N10 40A 100V 100W IXFK48N50 48A 500V 220W IXFH50N20 50A 200V 300W IXFH58N20 58A 200V 300W IXFH74N20 74A 200V 300W IXFH75N10 75A 100V 300W IXFH80N10 80A 100V 300W IXFH80N20 80A 200V 300W IXFK100N10 100A 100V 450W IXFK170N10 170A 100V 450W K413 8A 140V 100W K534 5A 800V 100W K559 15A 450V 100W K560 15A 500V 100W

型 号 参 数 K622 20A 150V 20W K623 20A 250V 120W K719 5A 900V 120W K724 15A 500V 100W K725 15A 500V 125W K727 5A 900V 125W K786 3A 900V 50W K791 3A 850V 100W K792 3A 900V 100W K793 5A 850V 150W K794 5A 900V 125W K790 15A 500V 150W K822 22A 250V 90W K833 5A 900V 150W K850 40A 100V 125W K851 30A 200V 150W K899 18A 500V 125W K902 20A 250V 150W K940 0.8A 60V 0.9W K956 9A 800V 150W K962 8A 900V 150W K1010 6A 500V 80W K1016 15A 500V 125W K1020 30A 500V 125W K1081 7A 800V 125W K1082 6A 900V 125W K1117 6A 600V 45W K1118 6A 600V 45W K1119 4A 1000V 100W K1120 8A 1000V 150W K1217 8A 900V 100W K1271 5A 1400V 240W K1227 30A 250V 150W K1341 6A 900V 100W K1342 8A 900V 100W K1357 5A 900V 150W K1358 9A 900V 150W K1413 2A 1500V 3W K1414 6A 1500V 3.5W K1457 5A 900V 70W K1507 9A 600V 70W K1512 10A 900V 150W K1520 30A 500V 200W K1521 50A 450V 250W K1522 50A 450V 250W K1527 40A 500V 250W K1544 25A 500V 200W K1723 12A 600V 150W K1745 18A 600V 150W K1796 10A 900V 150W K1837 50A 500V 250W K1941 12A 600V 125W K2038 5A 800V 125W K2039 5A 900V 150W K2082 9A 900V 150W K2333 6A 700V 50W K2485 6A 900V 150W K2608 3A 900V 100W K2610 5A 900V 125W K2611 9A 900V 150W K2648 9A 800V 150W K2677 10A 900V 65W K2700 3A 900V 40W K2761 10A 600V 50W K2765 7A 800V 125W K2850 6A 900V 150W K2488 10A 900V 150W GT8Q101 8A 1200V 180W GT15J101 15A 600V 180W GT15Q101 15A 1200V 200W' GT25H101 25A 600V 200W GT25Q101 25A 1200V 200W G40N1500 40A 1500V 250W G20N60 20A 600V 250W G30N60 30A 600V 220W G30N120 30A 1200V 250W IRFP064N 110A 55V 200W IXGH17N100 17A 1000V 280W IXGH24N60 24A 600V 250W IXGH32N60 32A 600V 250W IRFP054N 81A 55V 170W IXFPG4BC100D IRGPC50U IRGPH50U IRGPH40U IRFP054 70A 60V 230W 78455 代IRFP054 IRFP064 70A 60V 300W IRFP150 40A 100V 200W

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一、用指针式万用表对场效应管进行判别
（1）用测电阻法判别结型场效应管的电极
根据场效应管的PN结正、反向电阻值不一样的现象，可以判别出结型场效应管的三个电极。具体方法：将万用表拨在R×1k档上，任选两个电极，分别测出其正、反向电阻值。当某两个电极的正、反向电阻值相等，且为几千欧姆时，则该两个电极分别是漏极D和源极S。因为对结型场效应管而言，漏极和源极可互换，剩下的电极肯定是栅极Ｇ。也可以将万用表的黑表笔（红表笔也行）任意接触一个电极，另一只表笔依次去接触其余的两个电极，测其电阻值。当出现两次测得的电阻值近似相等时，则黑表笔所接触的电极为栅极，其余两电极分别为漏极和源极。若两次测出的电阻值均很大，说明是ＰＮ结的反向，即都是反向电阻，可以判定是Ｎ沟道场效应管，且黑表笔接的是栅极；若两次测出的电阻值均很小，说明是正向ＰＮ结，即是正向电阻，判定为Ｐ沟道场效应管，黑表笔接的也是栅极。若不出现上述情况，可以调换黑、红表笔按上述方法进行测试，直到判别出栅极为止。
（2）用测电阻法判别场效应管的好坏
测电阻法是用万用表测量场效应管的源极与漏极、栅极与源极、栅极与漏极、栅极Ｇ1与栅极Ｇ2之间的电阻值同场效应管手册标明的电阻值是否相符去判别管的好坏。具体方法：首先将万用表置于Ｒ×１０或Ｒ×100档，测量源极Ｓ与漏极Ｄ之间的电阻，通常在几十欧到几千欧范围（在手册中可知，各种不同型号的管，其电阻值是各不相同的），如果测得阻值大于正常值，可能是由于内部接触不良；如果测得阻值是无穷大，可能是内部断极。然后把万用表置于Ｒ×１０ｋ档，再测栅极Ｇ1与Ｇ2之间、栅极与源极、栅极与漏极之间的电阻值，当测得其各项电阻值均为无穷大，则说明管是正常的；若测得上述各阻值太小或为通路，则说明管是坏的。要注意，若两个栅极在管内断极，可用元件代换法进行检测。
（3）用感应信号输人法估测场效应管的放大能力
具体方法：用万用表电阻的R×100档，红表笔接源极Ｓ，黑表笔接漏极Ｄ，给场效应管加上1.5Ｖ的电源电压，此时表针指示出的漏源极间的电阻值。然后用手捏住结型场效应管的栅极Ｇ，将人体的感应电压信号加到栅极上。这样，由于管的放大作用，漏源电压VDS和漏极电流Iｂ都要发生变化，也就是漏源极间电阻发生了变化，由此可以观察到表针有较大幅度的摆动。如果手捏栅极表针摆动较小，说明管的放大能力较差；表针摆动较大，表明管的放大能力大；若表针不动，说明管是坏的。
根据上述方法，我们用万用表的R×100档，测结型场效应管3DJ2F。先将管的Ｇ极开路，测得漏源电阻RDS为600Ω，用手捏住Ｇ极后，表针向左摆动，指示的电阻RDS为12kΩ，表针摆动的幅度较大，说明该管是好的，并有较大的放大能力。
运用这种方法时要说明几点：首先，在测试场效应管用手捏住栅极时，万用表针可能向右摆动（电阻值减小），也可能向左摆动（电阻值增加）。这是由于人体感应的交流电压较高，而不同的场效应管用电阻档测量时的工作点可能不同（或者工作在饱和区或者在不饱和区）所致，试验表明，多数管的RDS增大，即表针向左摆动；少数管的RDS减小，使表针向右摆动。但无论表针摆动方向如何，只要表针摆动幅度较大，就说明管有较大的放大能力。第二，此方法对MOS场效应管也适用。但要注意，MOS场效应管的输人电阻高，栅极Ｇ允许的感应电压不应过高，所以不要直接用手去捏栅极，必须用于握螺丝刀的绝缘柄，用金属杆去碰触栅极，以防止人体感应电荷直接加到栅极，引起栅极击穿。第三，每次测量完毕，应当G-S极间短路一下。这是因为G-S结电容上会充有少量电荷，建立起ＶGＳ电压，造成再进行测量时表针可能不动，只有将G-S极间电荷短路放掉才行。
（4）用测电阻法判别无标志的场效应管
首先用测量电阻的方法找出两个有电阻值的管脚，也就是源极Ｓ和漏极Ｄ，余下两个脚为第一栅极G1和第二栅极G2。把先用两表笔测的源极Ｓ与漏极Ｄ之间的电阻值记下来，对调表笔再测量一次，把其测得电阻值记下来，两次测得阻值较大的一次，黑表笔所接的电极为漏极Ｄ；红表笔所接的为源极Ｓ。用这种方法判别出来的Ｓ、Ｄ极，还可以用估测其管的放大能力的方法进行验证，即放大能力大的黑表笔所接的是Ｄ极；红表笔所接地是８极，两种方法检测结果均应一样。当确定了漏极Ｄ、源极Ｓ的位置后，按Ｄ、Ｓ的对应位置装人电路，一般G1、G2也会依次对准位置，这就确定了两个栅极G1、G2的位置，从而就确定了Ｄ、S、G1、G2管脚的顺序。
（5）用测反向电阻值的变化判断跨导的大小
对ＶＭＯＳ Ｎ沟道增强型场效应管测量跨导性能时，可用红表笔接源极Ｓ、黑表笔接漏极Ｄ，这就相当于在源、漏极之间加了一个反向电压。此时栅极是开路的，管的反向电阻值是很不稳定的。将万用表的欧姆档选在R×10kΩ的高阻档，此时表内电压较高。当用手接触栅极Ｇ时，会发现管的反向电阻值有明显地变化，其变化越大，说明管的跨导值越高；如果被测管的跨导很小，用此法测时，反向阻值变化不大。
二、.场效应管的使用注意事项
（1）为了安全使用场效应管，在线路的设计中不能超过管的耗散功率，最大漏源电压、最大栅源电压和最大电流等参数的极限值。
（2）各类型场效应管在使用时，都要严格按要求的偏置接人电路中，要遵守场效应管偏置的极性。如结型场效应管栅源漏之间是ＰＮ结，Ｎ沟道管栅极不能加正偏压；Ｐ沟道管栅极不能加负偏压，等等。
（3）MOS场效应管由于输人阻抗极高，所以在运输、贮藏中必须将引出脚短路，要用金属屏蔽包装，以防止外来感应电势将栅极击穿。尤其要注意，不能将MOS场效应管放人塑料盒子内，保存时最好放在金属盒内，同时也要注意管的防潮。
（4）为了防止场效应管栅极感应击穿，要求一切测试仪器、工作台、电烙铁、线路本身都必须有良好的接地；管脚在焊接时，先焊源极；在连入电路之前，管的全部引线端保持互相短接状态，焊接完后才把短接材料去掉；从元器件架上取下管时，应以适当的方式确保人体接地如采用接地环等；当然，如果能采用先进的气热型电烙铁，焊接场效应管是比较方便的，并且确保安全；在未关断电源时，绝对不可以把管插人电路或从电路中拔出。以上安全措施在使用场效应管时必须注意。
（5）在安装场效应管时，注意安装的位置要尽量避免靠近发热元件；为了防管件振动，有必要将管壳体紧固起来；管脚引线在弯曲时，应当大于根部尺寸５毫米处进行，以防止弯断管脚和引起漏气等。
对于功率型场效应管，要有良好的散热条件。因为功率型场效应管在高负荷条件下运用，必须设计足够的散热器，确保壳体温度不超过额定值，使器件长期稳定可靠地工作。
总之，确保场效应管安全使用，要注意的事项是多种多样，采取的安全措施也是各种各样，广大的专业技术人员，特别是广大的电子爱好者，都要根据自己的实际情况出发，采取切实可行的办法，安全有效地用好场效应管。
三.VMOS场效应管
VMOS场效应管（VMOSFET）简称VMOS管或功率场效应管，其全称为V型槽MOS场效应管。它是继MOSFET之后新发展起来的高效、功率开关器件。它不仅继承了MOS场效应管输入阻抗高（≥108W）、驱动电流小（0.1μA左右），还具有耐压高（最高1200V）、工作电流大（1.5A～100A）、输出功率高（1～250W）、跨导的线性好、开关速度快等优良特性。正是由于它将电子管与功率晶体管之优点集于一身，因此在电压放大器（电压放大倍数可达数千倍）、功率放大器、开关电源和逆变器中正获得广泛应用。

                               
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VMOS场效应功率管具有极高的输入阻抗及较大的线性放大区等优点，尤其是其具有负的电流温度系数，即在栅-源电压不变的情况下，导通电流会随管温升高而减小，故不存在由于“二次击穿”现象所引起的管子损坏现象。因此，VMOS管的并联得到广泛应用。
众所周知，传统的MOS场效应管的栅极、源极和漏极大大致处于同一水平面的芯片上，其工作电流基本上是沿水平方向流动。VMOS管则不同，从图1上可以看出其两大结构特点:第一，金属栅极采用V型槽结构；第二，具有垂直导电性。由于漏极是从芯片的背面引出，所以ID不是沿芯片水平流动，而是自重掺杂N+区（源极S）出发，经过P沟道流入轻掺杂N-漂移区，最后垂直向下到达漏极D。电流方向如图中箭头所示，因为流通截面积增大，所以能通过大电流。由于在栅极与芯片之间有二氧化硅绝缘层，因此它仍属于绝缘栅型MOS场效应管。
国内生产VMOS场效应管的主要厂家有877厂、天津半导体器件四厂、杭州电子管厂等，典型产品有VN401、VN672、VMPT2等。
下面介绍检测VMOS管的方法。
1．判定栅极G
将万用表拨至R×1k档分别测量三个管脚之间的电阻。若发现某脚与其字两脚的电阻均呈无穷大，并且交换表笔后仍为无穷大，则证明此脚为G极，因为它和另外两个管脚是绝缘的。
2．判定源极S、漏极D
由图1可见，在源-漏之间有一个PN结，因此根据PN结正、反向电阻存在差异，可识别S极与D极。用交换表笔法测两次电阻，其中电阻值较低（一般为几千欧至十几千欧）的一次为正向电阻，此时黑表笔的是S极，红表笔接D极。
3．测量漏-源通态电阻RDS（on）
将G-S极短路，选择万用表的R×1档，黑表笔接S极，红表笔接D极，阻值应为几欧至十几欧。
由于测试条件不同，测出的RDS（on）值比手册中给出的典型值要高一些。例如用500型万用表R×1档实测一只IRFPC50型VMOS管，RDS（on）=3.2W，大于0.58W（典型值）。
4．检查跨导
将万用表置于R×1k（或R×100）档，红表笔接S极，黑表笔接D极，手持螺丝刀去碰触栅极，表针应有明显偏转，偏转愈大，管子的跨导愈高。
注意事项：
（1）VMOS管亦分N沟道管与P沟道管，但绝大多数产品属于N沟道管。对于P沟道管，测量时应交换表笔的位置。
（2）有少数VMOS管在G-S之间并有保护二极管，本检测方法中的1、2项不再适用。
（3）目前市场上还有一种VMOS管功率模块，专供交流电机调速器、逆变器使用。例如美国IR公司生产的IRFT001型模块，内部有N沟道、P沟道管各三只，构成三相桥式结构。
（4）现在市售VNF系列（N沟道）产品，是美国Supertex公司生产的超高频功率场效应管，其最高工作频率fp=120MHz，IDSM=1A，PDM=30W，共源小信号低频跨导gm=2000μS。适用于高速开关电路和广播、通信设备中。
（5）使用VMOS管时必须加合适的散热器后。以VNF306为例，该管子加装140×140×4（mm）的散热器后，最大功率才能达到30W。
（6）多管并联后，由于极间电容和分布电容相应增加，使放大器的高频特性变坏，通过反馈容易引起放大器的高频寄生振荡。为此，并联复合管管子一般不超过4个，而且在每管基极或栅极上串接防寄生振荡电阻。

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1.什么叫场效应管？
    FET是Field-Effect-Transistor的缩写,即为场效应晶体管。一般的晶体管是由两种极性的载流子,即多数载流子和反极性的少数载流子参与导电,因此称为双极型晶体管,而FET仅是由多数载流子参与导电,它与双极型相反,也称为单极型晶体管。FET应用范围很广,但不能说现在普及的双极型晶体管都可以用FET替代。然而，由于FET的特性与双极型晶体管的特性完全不同，能构成技术性能非常好的电路。
2. 场效应管的工作原理：

                               
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(a) JFET的概念图

                               
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(b) JFET的符号

    图1(b)门极的箭头指向为p指向 n方向，分别表示内向为n沟道JFET，外向为p沟道JFET。 图1（a）表示n沟道JFET的特性例。以此图为基础看看JFET的电气特性的特点。
    首先，门极-源极间电压以0V时考虑（VGS =0）。在此状态下漏极-源极间电压VDS 从0V增加，漏电流ID几乎与VDS 成比例增加，将此区域称为非饱和区。VDS 达到某值以上漏电流ID 的变化变小，几乎达到一定值。此时的ID 称为饱和漏电流（有时也称漏电流用IDSS 表示。与此IDSS 对应的VDS 称为夹断电压VP ，此区域称为饱和区。 其次在漏极-源极间加一定的电压VDS (例如0.8V)，VGS 值从0开始向负方向增加，ID 的值从IDSS 开始慢慢地减少，对某VGS 值ID =0。将此时的VGS 称为门极-源极间遮断电压或者截止电压，用VGS (off)示。n沟道JFET的情况则VGS (off) 值带有负的符号,测量实际的JFET对应ID =0的VGS 因为很困难,在放大器使用的小信号JFET时,将达到ID =0.1-10μA 的VGS 定义为VGS (off) 的情况多些。 关于JFET为什么表示这样的特性，用图作以下简单的说明。

                               
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    场效应管工作原理用一句话说，就是"漏极-源极间流经沟道的ID ，用以门极与沟道间的pn结形成的反偏的门极电压控制ID "。更正确地说，ID 流经通路的宽度，即沟道截面积，它是由pn结反偏的变化，产生耗尽层扩展变化控制的缘故。 在VGS =0的非饱和区域，图10.4.1(a)表示的过渡层的扩展因为不很大，根据漏极-源极间所加VDS的电场，源极区域的某些电子被漏极拉去，即从漏极向源极有电流ID 流动。达到饱和区域如图10.4.2(a)所示，从门极向漏极扩展的过度层将沟道的一部分构成堵塞型，ID饱和。将这种状态称为夹断。这意味着过渡层将沟道的一部分阻挡，并不是电流被切断。 在过渡层由于没有电子、空穴的自由移动，在理想状态下几乎具有绝缘特性，通常电流也难流动。但是此时漏极-源极间的电场，实际上是两个过渡层接触漏极与门极下部附近，由于漂移电场拉去的高速电子通过过渡层。 如图10.4.1(b)所示的那样，即便再增加VDS ，因漂移电场的强度几乎不变产生ID 的饱和现象。 其次，如图10.4.2(c)所示，VGS 向负的方向变化，让VGS =VGS (off) ，此时过渡层大致成为覆盖全区域的状态。而且VDS 的电场大部分加到过渡层上，将电子拉向漂移方向的电场，只有靠近源极的很短部分，这更使电流不能流通。
3.场效应管的分类和结构:
    场效应管分结型、绝缘栅型两大类。结型场效应管（JFET）因有两个PN结而得名，绝缘栅型场效应管（JGFET）则因栅极与其它电极完全绝缘而得名。目前在绝缘栅型场效应管中，应用最为广泛的是MOS场效应管，简称MOS管（即金属-氧化物-半导体场效应管MOSFET）；此外还有PMOS、NMOS和VMOS功率场效应管，以及最近刚问世的πMOS场效应管、VMOS功率模块等。 按沟道半导体材料的不同，结型和绝缘栅型各分沟道和P沟道两种。若按导电方式来划分，场效应管又可分成耗尽型与增强型。结型场效应管均为耗尽型，绝缘栅型场效应管既有耗尽型的，也有增强型的。 场效应晶体管可分为结场效应晶体管和MOS场效应晶体管。而MOS场效应晶体管又分为N沟耗尽型和增强型；P沟耗尽型和增强型四大类。见下图。

                               
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4、场效应三极管的型号命名方法
    现行有两种命名方法。第一种命名方法与双极型三极管相同，第三位字母J代表结型场效应管，O代表绝缘栅场效应管。第二位字母代表 材料，D是P型硅，反型层是N沟道；C是N型硅P沟道。例如,3DJ6D是结型N沟道场效应三极管，3DO6C 是绝缘栅型N沟道场效应三极管。 第二种命名方法是CS××#，CS代表场效应管，××以数字代表型号的序号，#用字母代表同一型号中的不同规格。例如CS14A、CS45G等。
5、场效应管的参数
    场效应管的参数很多，包括直流参数、交流参数和极限参数，但一般使用时关注以下主要参数：

• IDSS — 饱和漏源电流。是指结型或耗尽型绝缘栅场效应管中，栅极电压U GS=0时的漏源电流。
• UP — 夹断电压。是指结型或耗尽型绝缘栅场效应管中，使漏源间刚截止时的栅极电压。
• UT — 开启电压。是指增强型绝缘栅场效管中，使漏源间刚导通时的栅极电压。
• gM — 跨导。是表示栅源电压U GS — 对漏极电流I D的控制能力，即漏极电流I D变化量与栅源电压UGS变化量的比值。gM 是衡量场效应管放大能力的重要参数。
• BUDS — 漏源击穿电压。是指栅源电压UGS一定时，场效应管正常工作所能承受的最大漏源电压。这是一项极限参数，加在场效应管上的工作电压必须小于BUDS。
• PDSM — 最大耗散功率。也是一项极限参数，是指场效应管性能不变坏时所允许的最大漏源耗散功率。使用时，场效应管实际功耗应小于PDSM并留有一定余量。
• IDSM — 最大漏源电流。是一项极限参数，是指场效应管正常工作时，漏源间所允许通过的最大电流。场效应管的工作电流不应超过IDSM

6、场效应管的作用

• 场效应管可应用于放大。由于场效应管放大器的输入阻抗很高，因此耦合电容可以容量较小，不必使用电解电容器。
• 场效应管很高的输入阻抗非常适合作阻抗变换。常用于多级放大器的输入级作阻抗变换。
• 场效应管可以用作可变电阻。
• 场效应管可以方便地用作恒流源。
• 场效应管可以用作电子开关。

7、常用场效用管
1、MOS场效应管
    即金属-氧化物-半导体型场效应管，英文缩写为MOSFET（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect-Transistor），属于绝缘栅型。其主要特点是在金属栅极与沟道之间有一层二氧化硅绝缘层，因此具有很高的输入电阻（最高可达1015Ω）。它也分N沟道管和P沟道管，符号如图1所示。通常是将衬底（基板）与源极S接在一起。根据导电方式的不同，MOSFET又分增强型、耗尽型。所谓增强型是指：当VGS=0时管子是呈截止状态，加上正确的VGS后，多数载流子被吸引到栅极，从而“增强”了该区域的载流子，形成导电沟道。耗尽型则是指，当VGS=0时即形成沟道，加上正确的VGS时，能使多数载流子流出沟道，因而“耗尽”了载流子，使管子转向截止。
    以N沟道为例，它是在P型硅衬底上制成两个高掺杂浓度的源扩散区N+和漏扩散区N+，再分别引出源极S和漏极D。源极与衬底在内部连通，二者总保持等电位。图1（a）符号中的前头方向是从外向电，表示从P型材料（衬底）指身N型沟道。当漏接电源正极，源极接电源负极并使VGS=0时，沟道电流（即漏极电流）ID=0。随着VGS逐渐升高，受栅极正电压的吸引，在两个扩散区之间就感应出带负电的少数载流子，形成从漏极到源极的N型沟道，当VGS大于管子的开启电压VTN（一般约为+2V）时，N沟道管开始导通，形成漏极电流ID。

                               
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    国产N沟道MOSFET的典型产品有3DO1、3DO2、3DO4（以上均为单栅管），4DO1（双栅管）。它们的管脚排列（底视图）见图2。
    MOS场效应管比较“娇气”。这是由于它的输入电阻很高，而栅-源极间电容又非常小，极易受外界电磁场或静电的感应而带电，而少量电荷就可在极间电容上形成相当高的电压（U=Q/C），将管子损坏。因此了厂时各管脚都绞合在一起，或装在金属箔内，使G极与S极呈等电位，防止积累静电荷。管子不用时，全部引线也应短接。在测量时应格外小心，并采取相应的防静电感措施。

MOS场效应管的检测方法
（1）．准备工作 测量之前，先把人体对地短路后，才能摸触MOSFET的管脚。最好在手腕上接一条导线与大地连通，使人体与大地保持等电位。再把管脚分开，然后拆掉导线。
（2）．判定电极 将万用表拨于R×100档，首先确定栅极。若某脚与其它脚的电阻都是无穷大，证明此脚就是栅极G。交换表笔重测量，S-D之间的电阻值应为几百欧至几千欧，其中阻值较小的那一次，黑表笔接的为D极，红表笔接的是S极。日本生产的3SK系列产品，S极与管壳接通，据此很容易确定S极。
（3）．检查放大能力（跨导） 将G极悬空，黑表笔接D极，红表笔接S极，然后用手指触摸G极，表针应有较大的偏转。双栅MOS场效应管有两个栅极G1、G2。为区分之，可用手分别触摸G1、G2极，其中表针向左侧偏转幅度较大的为G2极。 目前有的MOSFET管在G-S极间增加了保护二极管，平时就不需要把各管脚短路了。
MOS场效应晶体管使用注意事项。
    MOS场效应晶体管在使用时应注意分类，不能随意互换。MOS场效应晶体管由于输入阻抗高（包括MOS集成电路）极易被静电击穿，使用时应注意以下规则：

• MOS器件出厂时通常装在黑色的导电泡沫塑料袋中，切勿自行随便拿个塑料袋装。也可用细铜线把各个引脚连接在一起，或用锡纸包装
• 取出的MOS器件不能在塑料板上滑动，应用金属盘来盛放待用器件。
• 焊接用的电烙铁必须良好接地。
• 在焊接前应把电路板的电源线与地线短接，再MOS器件焊接完成后在分开。
• MOS器件各引脚的焊接顺序是漏极、源极、栅极。拆机时顺序相反。
• 电路板在装机之前，要用接地的线夹子去碰一下机器的各接线端子，再把电路板接上去。
• MOS场效应晶体管的栅极在允许条件下，最好接入保护二极管。在检修电路时应注意查证原有的保护二极管是否损坏。

2、VMOS场效应管
    VMOS场效应管（VMOSFET）简称VMOS管或功率场效应管，其全称为V型槽MOS场效应管。它是继MOSFET之后新发展起来的高效、功率开关器件。它不仅继承了MOS场效应管输入阻抗高（≥108W）、驱动电流小（左右0.1μA左右），还具有耐压高（最高可耐压1200V）、工作电流大（1.5A～100A）、输出功率高（1～250W）、跨导的线性好、开关速度快等优良特性。正是由于它将电子管与功率晶体管之优点集于一身，因此在电压放大器（电压放大倍数可达数千倍）、功率放大器、开关电源和逆变器中正获得广泛应用。
    众所周知，传统的MOS场效应管的栅极、源极和漏极大大致处于同一水平面的芯片上，其工作电流基本上是沿水平方向流动。VMOS管则不同，从左下图上可以看出其两大结构特点:第一，金属栅极采用V型槽结构；第二，具有垂直导电性。由于漏极是从芯片的背面引出，所以ID不是沿芯片水平流动，而是自重掺杂N+区（源极S）出发，经过P沟道流入轻掺杂N-漂移区，最后垂直向下到达漏极D。电流方向如图中箭头所示，因为流通截面积增大，所以能通过大电流。由于在栅极与芯片之间有二氧化硅绝缘层，因此它仍属于绝缘栅型MOS场效应管。
    国内生产VMOS场效应管的主要厂家有877厂、天津半导体器件四厂、杭州电子管厂等，典型产品有VN401、VN672、VMPT2等。

VMOS场效应管的检测方法
（1）．判定栅极G 将万用表拨至R×1k档分别测量三个管脚之间的电阻。若发现某脚与其字两脚的电阻均呈无穷大，并且交换表笔后仍为无穷大，则证明此脚为G极，因为它和另外两个管脚是绝缘的。
（2）．判定源极S、漏极D 由图1可见，在源-漏之间有一个PN结，因此根据PN结正、反向电阻存在差异，可识别S极与D极。用交换表笔法测两次电阻，其中电阻值较低（一般为几千欧至十几千欧）的一次为正向电阻，此时黑表笔的是S极，红表笔接D极。
（3）．测量漏-源通态电阻RDS（on）将G-S极短路，选择万用表的R×1档，黑表笔接S极，红表笔接D极，阻值应为几欧至十几欧。 由于测试条件不同，测出的RDS（on）值比手册中给出的典型值要高一些。例如用500型万用表R×1档实测一只IRFPC50型VMOS管，RDS（on）=3.2W，大于0.58W（典型值）。
（4）．检查跨导 将万用表置于R×1k（或R×100）档，红表笔接S极，黑表笔接D极，手持螺丝刀去碰触栅极，表针应有明显偏转，偏转愈大，管子的跨导愈高。

注意事项：

• VMOS管亦分N沟道管与P沟道管，但绝大多数产品属于N沟道管。对于P沟道管，测量时应交换表笔的位置。
• 有少数VMOS管在G-S之间并有保护二极管，本检测方法中的1、2项不再适用。
• 目前市场上还有一种VMOS管功率模块，专供交流电机调速器、逆变器使用。例如美国IR公司生产的IRFT001型模块，内部有N沟道、P沟道管各三只，构成三相桥式结构。
• 现在市售VNF系列（N沟道）产品，是美国Supertex公司生产的超高频功率场效应管，其最高工作频率fp=120MHz，IDSM=1A，PDM=30W，共源小信号低频跨导gm=2000μS。适用于高速开关电路和广播、通信设备中。
• 使用VMOS管时必须加合适的散热器后。以VNF306为例，该管子加装140×140×4（mm）的散热器后，最大功率才能达到30W

8、场效应管与晶体管的比较

• 场效应管是电压控制元件，而晶体管是电流控制元件。在只允许从信号源取较少电流的情况下，应选用场效应管；而在信号电压较低，又允许从信号源取较多电流的条件下，应选用晶体管。
• 场效应管是利用多数载流子导电，所以称之为单极型器件，而晶体管是即有多数载流子，也利用少数载流子导电。被称之为双极型器件。
• 有些场效应管的源极和漏极可以互换使用，栅压也可正可负，灵活性比晶体管好。
• 场效应管能在很小电流和很低电压的条件下工作，而且它的制造工艺可以很方便地把很多场效应管集成在一块硅片上，因此场效应管在大规模集成电路中得到了广泛的应用

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2SJ11 东芝 DC, LF A, Chop J P D 20 GDS -10m 100m 4-2
2SJ12 东芝 DC, LF A, Chop J P D 20 GDS -10m 100m 4-2
2SJ13 东芝 DC, LF A, Chop J P D 20 GDS -100m 600m 4-35
2SJ15 富士通 DC, LF A J P 　 18 GDO -10m 200m 4-1
2SJ16 富士通 DC, LF A J P 　 18 GDO -10m 200m 4-1
2SJ17 　 C-MIC J P 　 20 GDO 0.5m 10m 4-47
2SJ18 　 LF PA J(V) P 　 170 GDO -5 63 4-45
2SJ19 NEC LF D J(V) P 　 140 GDO -100m 800m 4-41
2SJ20 NEC LF PA J(V) P 　 100 GDO -10 100 4-42
2SJ22 　 C-MIC J P D 80 GDO 0.5m 50m 4-48
2SJ39 三菱 LF A J P D 50 GDO -10m .15/CH 4-81
2SJ40 三菱 LF A,A-SW J P D 50 GDO -10m 300m 4-151
2SJ43 松下 LF A J P D 50 GDS 20m 250m 4-80A
2SJ44 NEC LF LN A J P D 40 GDO -10m 400m 4-53A
2SJ45 NEC LF A J P D 40 GDO -10m 400m 4-53A
2SJ47 日立 LF PA MOS P E -100 DSX -7 100 4-28A
2SJ48 日立 LF PA, HS PSW MOS P E -120 DSX -7 100 4-28A
2SJ49 日立 LF PA,HS PSW MOS P E -140 DSX -7 100 4-28A
2SJ49(H) 日立 HS PSW MOS P E -140 DSX -7 100 4-28A
2SJ50 日立 LF/HF PA,HS PSW MOS P E -160 DSX -7 100 4-28A
2SJ50(H) 日立 HS PSW MOS P E -160 DSX -7 100 4-28A
2SJ51 日立 LF LN A J P D 40 GDO -10m 800m 4-97A
2SJ55 日立 LF/HF PA,HS PSW MOS P E -180 DSX -8 125 4-28A
2SJ56 日立 LF/HF PA,HS PSW MOS P E -200 DSX -8 125 4-28A
2SJ56(H) 日立 HF PA, HS PSW MOS P E -200 DSX -8 125 4-28A
2SJ68 日立 LF LN A J P D -40 DSX -10m 300m 4-79A
2SJ69 日立 LF LN A J P D -40 DSX -10m 300m 4-79A
2SJ70 日立 LF LN A J P D -40 DSX -10m 800m 4-97A
2SJ72 东芝 LF LN A J P D 25 GDS -10m 600m 4-74A
2SJ73 东芝 LF LN A J P D 25 GDS -10m 0.6/CH 4-98
2SJ74 东芝 LF LN A J P D 25 GDS -10m 400m 4-90
2SJ75 东芝 LF LN A J P D 25 GDS -10m 0.4/CH 4-99
2SJ76 日立 LF D,HS PSW MOS P E -140 DSX -500m 30 4-116A
2SJ77 日立 LF D,HS PSW MOS P E -160 DSX -500m 30 4-116A
2SJ77(K) 日立 HF PA, HS PSW MOS P E -160 DSX -500m 30 4-116A
2SJ78 日立 LF D,HS PSW MOS P E -180 DSX -500m 30 4-116A
2SJ79 日立 LF D, HS PSW MOS P E -200 DSX -500m 30 4-116A
2SJ79(K) 日立 HF PA, HS PSW MOS P E -200 DSX -500m 30 4-116A
2SJ81 日立 LF PA MOS P 　 -120 DSX -7 100 4-117A
2SJ82 日立 LF PA MOS P 　 -140 DSX -7 100 4-117A
2SJ83 日立 LF PA MOS P 　 -160 DSX -7 100 4-117A
2SJ84 松下 LF A J P D 15 GDS -10m 200m 4-105A
2SJ85 日立 LF PA MOS P 　 　 　 　 　 　
2SJ86 日立 LF PA MOS P 　 　 　 　 　 　
2SJ87 日立 LF PA MOS P 　 　 　 　 　 　
2SJ90 东芝 LF LN A J P D 30 GDS -10m 0.2/CH 4-75
2SJ91 东芝 LF PA MOS P 　 -140 DSX -8 120 4-118
2SJ92 东芝 LF PA MOS P 　 -140 DSX -7 100 4-119
2SJ96 日立 LF/HF PA, HS PSW MOS P 　 -60 DSX -8 100 4-117A
2SJ99 日立 LF/HF PA, HS PSW MOS P E -140 DSS -8 100 4-117B
2SJ100 日立 LF/HF PA, HS PSW MOS P E -160 DSS -8 100 4-117B
2SJ101 日立 LF/HF PA, HS PSW MOS P E -40 DSS -5 30 4-116B
2SJ102 日立 LF/HF PA, HS PSW MOS P E -60 DSS -5 30 4-116B
2SJ103 东芝 LF A,A-SW J P D 50 GDS -10m 300m 4-82B
2SJ104 东芝 LF A, A-SW J P D 25 GDS -10m 400m 4-82C
2SJ105 东芝 LF A,A-SW J P D 50 GDS -10m 200m 4-70A
2SJ106 东芝 LF A,A-SW J P D 50 GDS -10m 150m 4-105A
2SJ107 东芝 LF A,A-SW J P D 25 GDS -10m 200m 4-70B
2SJ108 东芝 LF LN A J P D 25 GDS -10m 200m 4-70B
2SJ109 东芝 LF LN A J P D 30 GDS -10m 200m 4-148
2SJ110 东芝 LF A,A-SW J P D 25 GDS -10m 400m 4-82C
2SJ111 东芝 LF LN A J P D 25 GDS -10m 400m 4-82C
2SJ112 日立 HS PSW, RF PA MOS P E -100 DSS -10 100 4-28B
2SJ113 日立 HS PSW, RF PA MOS P E -100 DSS -10 100 4-149
2SJ114 日立 HS PSW, RF PA MOS P E -200 DSS -8 100 4-149
2SJ115 东芝 LF PA MSO P E -160 DSS -8 100 4-119
2SJ116 日立 HS PSW, RF PA MOS P E -400 DSS -8 125 4-28B
2SJ117 日立 HS PSW, RF PA MOS P E -400 DSS -2 40 4-116B
2SJ118 日立 HS PSW, RF PA MOS P E -140 DSS -8 100 4-149
2SJ119 日立 HS PSW, RF PA MOS P E -160 DSS -8 100 4-149
2SJ120(L) 日立 HS PSW, RF PA MOS P E -40 DSS -2 10 4-150
2SJ122 日立 HS PSW, RF PA MOS P E -60 DSS -10 50 4-116B
2SJ123 东芝 LF PA, HS SW MOS P E -70 DSS -10 30 4-138
2SJ125 三菱 LF PA,A-SW J P D 50 DGO -10m 150m 4-128
2SJ126 东芝 HS SW MOS P E -60 DSX -10 40 4-182
2SJ127 日立 HS PSW MOS P E -120 DSS -10 50 4-116B
2SJ128,128Z NEC SW MOS P E -100 DSS ±2 20 4-276/Z:281
2SJ129 松下 LF A J P D 50 GDS -10m 300m 4-213B
2SJ130(L)(S) 日立 HS SW MOS P E -300 DSS -1 20 4-150
2SJ131 　 SW MOS P E -170 DSS -10 100 4-207
2SJ132,132Z NEC SW MOS P E -30 DSS ±2 20 4-276/Z:281
2SJ133,133Z NEC SW MOS P E -60 DSS ±2 20 4-276/Z:281
2SJ134 NEC SW MOS P E -100 DSS ±6 20 4-164
2SJ135 NEC SW MOS P E -100 DSS ±5 30 4-274
2SJ136 NEC SW MOS P E -60 DSS ±12 40 4-164
2SJ137 NEC SW MOS P E -60 DSS ±10 30 4-274
2SJ138 NEC SW MOS P E -100 DSS ±12 60 4-164
2SJ139 NEC SW MOS P E -100 DSS ±10 35 4-274
2SJ140 NEC SW MOS P E -60 DSS ±19 60 4-164
2SJ141 NEC SW MOS P E -60 DSS ±13 35 4-274
2SJ142 NEC SW MOS P E -100 DSS ±13 35 4-274
2SJ143 NEC SW MOS P E -60 DSS ±16 35 4-274
2SJ144 东芝 LF A-SW J P D 50 GDS -10m 100m 4-246B
2SJ145 三菱 LF A-SW J P D 50 GDO -10m 150m 　
2SJ146 松下 SW MOS P E -50 DSS -100m 150m 4-193B
2SJ147 东芝 DDC, Motor D MOS P E -60 DSS -12 40 4-182
2SJ148 东芝 HS SW, A-SW MOS P E -60 DSX -200m 400m 4-82D
2SJ151 NEC SW MOS P E -100 DSS ±3 35 4-164
2SJ152 NEC SW MOS P E -100 DSS ±3 30 4-274
2SJ153 NEC SW MOS P E -60 DSS ±6 40 4-164
2SJ154 NEC SW MOS P E -60 DSS ±5 30 4-274
2SJ155 松下 SW MOS P E -50 DSS -3 30 4-190
2SJ156 松下 SW MOS P E -50 DSS -5 30 4-190
2SJ157 松下 SW MOS P E -100 DSS -3 30 4-190
2SJ158 松下 SW MOS P E -100 DSS -5 30 4-190
2SJ159 松下 SW MOS P E -160 DSS -3 30 4-190
2SJ160 日立 LF PA MOS P E -120 DSX -7 100 4-149
2SJ161 日立 LF PA MOS P E -140 DSX -7 100 4-149
2SJ162 日立 LF PA MOS P E -160 DSX -7 100 4-149
2SJ163 松下 SW J P D 65 GDS -10m 150m 4-193D
2SJ164 松下 SW J P D 65 GDS -10m 300m 4-213C
2SJ165 NEC HS SW MOS P E -50 DSS -0.1 250m 4-104C
2SJ166 NEC HS SW MOS P E -50 DSS -0.1 200m 4-275A
2SJ167 东芝 HS SW, A-SW MOS P E -60 DSS -200m 300m 4-70
2SJ168 东芝 HS SW, A-SW MOS P E -60 DSS -200m 200m 4-105D
2SJ169 日立 SW-Reg, DDC MOS P E -60 DSS -12 50 4-116B
2SJ170 日立 SW-Reg, DDC MOS P E -80 DSS -12 50 4-116B
2SJ171 日立 SW-Reg, DDC MOS P E -50 DSS -9.7 40 4-116B
2SJ172 日立 Motor/Relay-D MOS P E -60 DSS -10 40 4-116B
2SJ173 日立 Motor/Relay-D MOS P E -60 DSS -15 50 4-116B
2SJ174 日立 Motor/Relay-D MOS P E -60 DSS -20 75 4-116B
2SJ175 日立 Motor/Relay-D MOS P E -60 DSS -10 25 4-292
2SJ176 日立 Motor/Relay-D MOS P E -60 DSS -15 30 4-292
2SJ177 日立 Motor/Relay-D MOS P E -60 DSS -20 35 4-292
2SJ178 NEC HS SW MOS P E -30 DSS ±1 0.75 4-53C
2SJ179 NEC HS SW MOS P E -30 DSS ±1.5 2 4-216A
2SJ180 NEC HS SW MOS P E -30 DSS ±1 1 4-217
2SJ181(L)(S) 日立 SW-Reg, DDC MOS P E -600 DSS -0.5 20 4-150
2SJ182(L)(S) 日立 Motor/Relay-D MOS P E -60 DSS -3 20 4-150
2SJ183 东芝 Relay-D, DDC MOS P E -60 DSS -5 20 4-257
2SJ184 NEC HS SW MOS P E -50 DSS -100m 250m 4-104C
2SJ185 NEC HS SW MOS P E -50 DSS -100m 200m 4-275A
2SJ186 日立 SW-Reg, DDC MOS P E -200 DSS -0.5 1 4-295
2SJ187 三洋 SW MOS P E -30 DSS -1 3.5 4-252
2SJ188 三洋 SW MOS P E -30 DSS -2 20 4-346
2SJ189 三洋 SW MOS P E -30 DSS -4 30 4-346
2SJ190 三洋 SW MOS P E -60 DSS -1 3.5 4-252
2SJ191 三洋 SW MOS P E -60 DSS -2 20 4-346
2SJ192 三洋 SW MOS P E -60 DSS -4 30 4-346
2SJ193 三洋 SW MOS P E -100 DSS -1 3.5 4-252
2SJ194 三洋 SW MOS P E -100 DSS -2 20 4-346
2SJ195 三洋 SW MOS P E -100 DSS -4 30 4-346
2SJ196 NEC SW MOS P E -60 DSS ±1 0.75 4-53C
2SJ197 NEC SW MOS P E -60 DSS ±1 2 4-216A
2SJ198 NEC SW MOS P E -100 DSS ±0.5 0.75 4-53D
2SJ199 NEC SW MOS P E -100 DSS ±1 2 4-216A
2SJ200 东芝 LF PA MOS P E -180 DSS -10 120 4-184
2SJ201 东芝 LF PA MOS P E -200 DSS -12 150 4-337
2SJ202 NEC SW MOS P E -16 DSS -100m 150m 4-246C
2SJ203 NEC SW MOS P E -16 DSS -200m 200m 4-275A
2SJ204 NEC SW MOS P E -30 DSS -200m 200m 4-275A
2SJ205 NEC SW MOS P E -16 DSS ±0.5 2 4-216A
2SJ206 NEC SW MOS P E -30 DSS ±0.5 2 4-216A
2SJ207 NEC SW MOS P E -16 DSS ±1 2 4-216A
2SJ208 NEC SW MOS P E -16 DSS ±2 2 4-216A
2SJ209 NEC SW MOS P E -100 DSS -100m 200m 4-275A
2SJ210 NEC SW MOS P E -60 DSS -200m 200m 4-275A
2SJ211 NEC SW MOS P E -100 DSS -200m 200m 4-275A
2SJ212 NEC SW MOS P E -60 DSS ±0.5 2 4-216A
2SJ213 NEC SW MOS P E -100 DSS ±0.5 2 4-216A
2SJ214(L)(S) 日立 Motor/Relay-D MOS P E -60 DSS -105 40 4-294
2SJ215 日立 Motor/Relay-D MOS P E -60 DSS -35 125 4-149
2SJ216 日立 Motor/Relay-D MOS P E -60 DSS -35 60 4-293
2SJ217 日立 Motor/Relay-D MOS P E -60 DSS -45 150 4-149
2SJ218 日立 Motor/Relay-D MOS P E -60 DSS -45 75 4-293
2SJ219(L)(S) 日立 Motor/Relay-D MOS P E -60 DSS -15 50 4-294
2SJ220(L)(S) 日立 Motor/Relay-D MOS P E -60 DSS -20 75 4-294
2SJ221 日立 Motor/Relay-D MOS P E -100 DSS -20 75 4-116B
2SJ222 日立 Motor/Relay-D MOS P E -100 DSS -15 35 4-292
2SJ223(L)(S) 日立 HS PSW MOS P E -60 DSS -2 10 4-150
2SJ224 东芝 SW, DDC, Motor-D MOS P E -60 DSS -12 80 4-341
2SJ225 三洋 HS SW MOS P E -30 DSS -1 1 4-348
2SJ226 三洋 HS SW MOS P E -30 DSS -2 1.5 4-347
2SJ227 三洋 HS SW MOS P E -30 DSS -3 1.5 4-347
2SJ228 三洋 HS SW MOS P E -60 DSS -0.8 1 4-348
2SJ229 三洋 HS SW MOS P E -60 DSS -1.6 1.5 4-347
2SJ230 三洋 HS SW MOS P E -60 DSS -2.5 1.5 4-347
2SJ231 三洋 HS SW MOS P E -100 DSS -0.5 1 4-348
2SJ232 三洋 HS SW MOS P E -100 DSS -2.5 1.5 4-347
2SJ233 三洋 HS SW MOS P E -100 DSS -2.5 1.5 4-347
2SJ234(L)(S) 日立 HS PSW, DDC MOS P E -30 DSS -2.5 10 4-150
2SJ235(L)(S) 日立 HS PSW MOS P E -60 DSS -3 20 4-150
2SJ236 日立 HS PSW MOS P E -60 DSS -10 25 4-376
2SJ237 日立 HS PSW MOS P E -60 DSS -15 30 4-376
2SJ238 东芝 SW, DDC, Motor-D MOS P E -60 DSS -1 0.5 4-256
2SJ239 东芝 SW, DDC, Motor-D MOS P E -60 DSS -5 20 4-257
2SJ240 东芝 SW, DDC, Motor-D MOS P E -60 DSS -20 45 4-335
2SJ241 东芝 SW, DDC, Motor-D MOS P E -60 DSS -20 100 4-341
2SJ243 NEC SW MOS P E -30 DSS ±100m 200m 4-356
2SJ244 日立 HS PSW, DDC MOS P E -12 DSS ±2 1 4-295
2SJ245(L)(S) 日立 HS PSW, DDC MOS P E -60 DSS -5 20 4-150
2SJ246(L)(S) 日立 HS PSW, DDC MOS P E -30 DSS -7 20 4-150
2SJ247 日立 HS PSW MOS P E -100 DSS -8 40 4-116B
2SJ248 日立 HS PSW, DDC MOS P E -100 DSS -8 25 4-292
2SJ250 日立 HS PSW MOS P E -60 DSS -10 12 4-363A
2SJ254 三洋 HS SW MOS P E -30 DSS -8 25 4-284
2SJ255 三洋 HS SW MOS P E -30 DSS -10 25 4-284
2SJ256 三洋 HS SW MOS P E -30 DSS -18 30 4-284
2SJ257 三洋 HS SW MOS P E -30 DSS -10 50 4-370
2SJ258 三洋 HS SW MOS P E -30 DSS -12 60 4-370
2SJ259 三洋 HS SW MOS P E -30 DSS -20 70 4-370
2SJ263 三洋 HS SW MOS P E -60 DSS -6 25 4-284
2SJ264 三洋 HS SW MOS P E -60 DSS -8 25 4-284
2SJ265 三洋 HS SW MOS P E -60 DSS -15 30 4-284
2SJ266 三洋 HS SW MOS P E -60 DSS -8 50 4-370
2SJ267 三洋 HS SW MOS P E -60 DSS -10 60 4-370
2SJ268 三洋 HS SW MOS P E -60 DSS -18 70 4-370
2SJ272 三洋 HS SW MOS P E -100 DSS -4 25 4-284
2SJ273 三洋 HS SW MOS P E -100 DSS -6 25 4-284
2SJ274 三洋 HS SW MOS P E -100 DSS -12 30 4-284
2SJ275 三洋 HS SW MOS P E -100 DSS -6 50 4-370
2SJ276 三洋 HS SW MOS P E -100 DSS -8 60 4-370
2SJ277 三洋 HS SW MOS P E -100 DSS -60 70 4-370
2SJ278 日立 HS PSW, DDC MOS P E -60 DSS -1 1 4-295
2SJ279(L)(S) 日立 HS PSW, DDC MOS P E -60 DSS -5 20 4-150
2SJ280(L)(S) 日立 HS PSW, DDC MOS P E -60 DSS -30 75 4-294
2SJ281 三洋 HS SW MOS P E -250 DSS -3 30 4-346
2SJ284 三洋 HS SW MOS P E -30 DSS -0.3 250m 4-368
2SJ285 三洋 HS SW MOS P E -60 DSS -0.2 250m 4-368
2SJ287 三洋 HS SW MOS P E -30 DSS -0.5 3.5 4-252
2SJ288 三洋 HS SW MOS P E -60 DSS -0.5 3.5 4-252
2SJ290 日立 HS PSW MOS P E -60 DSS -15 50 4-116B
2SJ291 日立 HS PSW MOS P E -60 DSS -20 60 4-116B
2SJ292 日立 HS PSW MOS P E -60 DSS -30 75 4-116B
2SJ293 日立 HS PSW MOS P E -60 DSS -15 30 4-292
2SJ294 日立 HS PSW MOS P E -60 DSS -20 35 4-292
2SJ295 日立 HS PSW MOS P E -60 DSS -30 35 4-292
2SJ296(L)(S) 日立 HS PSW MOS P E -60 DSS -15 50 4-294
2SJ297(L)(S) 日立 HS PSW, DDC MOS P E -60 DSS -20 60 4-294
2SJ298 日立 HS PSW MOS P E -20 DSS -5 12 4-363A
2SJ299(L)(S) 日立 HS PSW MOS P E -20 DSS -5 20 4-150
2SJ300 日立 HS PSW MOS P E -20 DSS -10 12 4-363A
2SJ302,302Z NEC SW, DDC MOS P E -60 DSS ±16 75 4-287/Z:306
2SJ303 NEC SW, DDC MOS P E -60 DSS ±14 35 4-304
2SJ304 东芝 HS, SW, DDC MOS P E -60 DSS -14 40 4-335
2SJ306 三洋 HS SW MOS P E -250 DSS -3 25 4-284
2SJ307 三洋 HS SW MOS P E -250 DSS -6 30 4-284
2SJ308 三洋 HS SW MOS P E -250 DSS -9 40 4-284
2SJ312 东芝 HS SW, DDC MOS P E -60 DSS -14 40 4-341
2SJ313 东芝 LF PA MOS P E -180 DSS -1 25 4-335
2SJ314-01L, S 富士电机 　 MOS P E -60 DSS -5 20 4-391
2SJ315 东芝 DDC MOS P E -60 DSS -5 20 4-257
2SJ316 三洋 HS SW MOS P E -12 DSS -1 3.5 4-252
2SJ317 日立 SW, PA MOS P E -12 DSS ±2 1 4-295
2SJ318(L)(S) 日立 HS PSW MOS P E -20 DSS -5 20 4-150
2SJ319(L)(S) 日立 HS PSW MOS P E -200 DSS -3 20 4-150
2SJ320 三洋 HS SW MOS P E -250 DSS -4 25 4-284
2SJ321 日立 HS PSW MOS P E -60 DSS -15 30 4-376
2SJ322 日立 HS PSW MOS P E -60 DSS -20 35 4-376
2SJ323 日立 HS PSW MOS P E -60 DSS -30 35 4-376
2SJ324,324Z NEC SW, DDC MOS P E -30 DSS ±2 20 4-276/Z:277
2SJ325,325Z NEC SW, DDC MOS P E -30 DSS ±4 20 4-276/Z:277
2SJ326, 326Z NEC SW, DDC MOS P E -60 DSS ±2 20 4-276/Z:277
2SJ327, 327Z NEC SW, DDC MOS P E -60 DSS ±4 20 4-276/Z:277
2SJ328, 328Z NEC SW, DDC MOS P E -60 DSS ±20 75 4-287/Z:306
2SJ329 NEC SW, DDC MOS P E -60 DSS ±15 35 4-304
2SJ330 NEC SW, DDC MOS P E -60 DSS ±20 35 4-304
2SJ331 NEC SW, DDC MOS P E -60 DSS ±30 150 4-253
2SJ332(L)(S) 日立 HS PSW MOS P E -20 DSS -10 20 4-377, 378
2SJ333(L)(S) 日立 HS PSW MOS P E -30 DSS -7 20 4-150
2SJ334 东芝 HS SW, DDC MOS P E -60 DSS -30 45 4-335
2SJ337 三洋 HS SW MOS P E -12 DSS -8 30 4-384
2SJ341 日立 HS PSW MOS P E -20 DSS -5 12 4-363B
2SJ349 东芝 HS SW, DDC MOS P E -60 DSS -20 35 4-335
2SJ350 日立 HS PSW MOS P E -120 DSS -6 20 4-292
2SJ351 日立 LF/RF PA, HS PSW MOS P E -180 DSX -8 100 4-149
2SJ352 日立 LF/RF PA, HS PSW MOS P E -200 DSX -8 100 4-149
2SJ353 NEC 　 MOS P E -60 DSS ±1.5 1 4-217
2SJ355 NEC 　 MOS P E -30 DSS ±2 2 4-SC-62
2SJ356 NEC 　 MOS P E -60 DSS ±2 2 4-SC-62
2SJ357 NEC 　 MOS P E -30 DSS ±3 2 4-MP-2
2SJ358 NEC 　 MOS P E -60 DSS ±3 2 4-MP-2
2SJ359 东芝 HS SW, DDC MOS P E -60 DSS -5 1.2 4-387
2SJ360 东芝 HS SW, DDC MOS P E -60 DSS -1 1.5 4-256
2SJ361 日立 HS PSW MOS P E -20 DSS -2 1 4-295
2SJ363 日立 HS PSW MOS P E -30 DSS -2 1 4-295
2SJ365 新电元 HS SW MOS P E -60 DSS -2 10 4-290
2SJ366 新电元 HS SW MOS P E -60 DSS -5 15 4-290
2SJ367 新电元 HS SW MOS P E -60 DSS -5 30 4-383
2SJ368 新电元 HS SW MOS P E -60 DSS -5 20 4-304
2SJ369 新电元 HS SW MOS P E -60 DSS -10 40 4-383
2SJ370 新电元 HS SW MOS P E -60 DSS -10 25 4-304
2SJ371 新电元 HS SW MOS P E -60 DSS -15 50 4-383
2SJ372 新电元 HS SW MOS P E -60 DSS -15 30 4-304
2SJ373 新电元 HS SW MOS P E -60 DSS -20 60 4-383
2SJ374 新电元 HS SW MOS P E -60 DSS -20 40 4-304
2SJ375 新电元 HS SW MOS P E -60 DSS -30 60 4-383
2SJ376 新电元 HS SW MOS P E -60 DSS -30 50 4-304
2SJ377 东芝 HS SW, DDC MOS P E -60 DSS -5 20 4-257
2SJ378 东芝 HS SW, DDC MOS P E -60 DSS -5 1.2 4-387
2SJ379 东芝 HS SW, DDC MOS P E -100 DSS -8 15 4-342
2SJ380 东芝 HS SW, DDC MOS P E -100 DSS -12 35 4-335
2SJ381 三洋 　 MOS P E -12 DSS -2 3.5 4-252
2SJ382 三洋 　 MOS P E -12 DSS -4 20 　
2SJ383 三洋 　 MOS P E -12 DSS -8 30 　
2SJ384(L)(S) 日立 HS PSW MOS P E -60 DSS -15 50 4-294
2SJ386 日立 HS PSW MOS P E -30 DSS -3 0.9 4-97B
2SJ387(L)(S) 日立 HS PSW MOS P E -20 DSS -10 20 4-377, 378
2SJ388(L)(S) 日立 HS PSW MOS P E -30 DSS -10 20 4-377, 378
2SJ389(L)(S) 日立 HS PSW MOS P E -60 DSS -10 30 4-377, 378
2SJ390 日立 HS PSW MOS P E -60 DSS -10 25 4-292
2SJ399 日立 HS PSW MOS P E -30 DSS -0.2 0.15 4-185B
2SJ408(L)(S) 日立 HS PSW MOS P E -60 DSS -50 100 4-379, 380
2SJ409(L)(S) 日立 HS PSW MOS P E -100 DSS -20 75 4-294
2SJ410 日立 HS PSW MOS P E -200 DSS -6 30 4-292
2SJ128Z NEC SW MOS P E -100 DSS ±2 20 4-281
2SJ132Z NEC SW MOS P E -30 DSS ±2 20 4-281
2SJ133Z NEC SW MOS P E -60 DSS ±2 20 4-281
2SJ302Z NEC SW,DDC MOS P E -60 DSS ±16 75 4-306
2SJ324Z NEC SW,DDC MOS P E -30 DSS ±2 20 4-277
2SJ325Z NEC SW,DDC MOS P E -30 DSS ±4 20 4-277
2SJ326Z NEC SW,DDC MOS P E -60 DSS ±2 20 4-277
2SJ327Z NEC SW,DDC MOS P E -60 DSS ±4 20 4-277
2SJ328Z NEC SW,DDC MOS P E -60 DSS ±20 75 4-306
2SJ120(S) 日立 HS PSW， RF PA MOS P E -40 DSS -2 10 4-150

00d44

用万用表定性判断场效应管、三极管的好坏

一、定性判断MOS型场效应管的好坏
先用万用表R×10kΩ挡(内置有9V或15V电池)，把负表笔(黑)接栅极(G)，正表笔(红)接源极(S)。给栅、源极之间充电，此时万用表指针有轻微偏转。再改用万用表R×1Ω挡，将负表笔接漏极(D)，正笔接源极(S)，万用表指示值若为几欧姆，则说明场效应管是好的。

二、定性判断结型场效应管的电极
将万用表拨至R×100档，红表笔任意接一个脚管，黑表笔则接另一个脚管，使第三脚悬空。若发现表针有轻微摆动，就证明第三脚为栅极。欲获得更明显的观察效果，还可利用人体靠近或者用手指触摸悬空脚，只要看到表针作大幅度偏转，即说明悬空脚是栅极，其余二脚分别是源极和漏极。
判断理由：JFET的输入电阻大于100MΩ，并且跨导很高，当栅极开路时空间电磁场很容易在栅极上感应出电压信号，使管子趋于截止，或趋于导通。若将人体感应电压直接加在栅极上，由于输入干扰信号较强，上述现象会更加明显。如表针向左侧大幅度偏转，就意味着管子趋于截止，漏-源极间电阻RDS增大，漏-源极间电流减小IDS。反之，表针向右侧大幅度偏转，说明管子趋向导通，RDS↓，IDS↑。但表针究竟向哪个方向偏转，应视感应电压的极性（正向电压或反向电压）及管子的工作点而定。
注意事项：
（1）试验表明，当两手与D、S极绝缘，只摸栅极时，表针一般向左偏转。但是，如果两手分别接触D、S极，并且用手指摸住栅极时，有可能观察到表针向右偏转的情形。其原因是人体几个部位和电阻对场效应管起到偏置作用，使之进入饱和区。（2）也可以用舌尖舔住栅极，现象同上。

三、晶体三极管管脚判别
三极管是由管芯（两个PN结）、三个电极和管壳组成，三个电极分别叫集电极c、发射极e和基极b，目前常见的三极管是硅平面管，又分PNP和NPN型两类。现在锗合金管已经少见了。
这里向大家介绍如何用万用表测量三极管的三个管脚的简单方法。

1.找出基极，并判定管型（NPN或PNP）
对于PNP型三极管，C、E极分别为其内部两个PN结的正极，B极为它们共同的负极，而对于NPN型三极管而言，则正好相反：C、E极分别为两个PN结的负极，而B极则为它们共用的正极，根据PN结正向电阻小反向电阻大的特性就可以很方便的判断基极和管子的类型。具体方法如下：
将万用表拨在R×100或R×1K档上。红笔接触某一管脚，用黑表笔分别接另外两个管脚，这样就可得到三组（每组两次）的读数，当其中一组二次测量都是几百欧的低阻值时，若公共管脚是红表笔，所接触的是基极，且三极管的管型为PNP型；若公共管脚是黑表笔，所接触的是也是基极，且三极管的管型为NPN型。

2.判别发射极和集电极
由于三极管在制作时，两个P区或两个N区的掺杂浓度不同，如果发射极、集电极使用正确，三极管具有很强的放大能力，反之，如果发射极、集电极互换使用，则放大能力非常弱，由此即可把管子的发射极、集电极区别开来。
在判别出管型和基极b后，可用下列方法来判别集电极和发射极。

将万用表拨在R×1K档上。用手将基极与另一管脚捏在一起（注意不要让电极直接相碰），为使测量现象明显，可将手指湿润一下，将红表笔接在与基极捏在一起的管脚上，黑表笔接另一管脚，注意观察万用表指针向右摆动的幅度。然后将两个管脚对调，重复上述测量步骤。比较两次测量中表针向右摆动的幅度，找出摆动幅度大的一次。对PNP型三极管，则将黑表笔接在与基极捏在一起的管脚上，重复上述实验，找出表针摆动幅度大的一次，对于NPN型，黑表笔接的是集电极，红表笔接的是发射极。对于PNP型，红表笔接的是集电极，黑表笔接的是发射极。
这种判别电极方法的原理是，利用万用表内部的电池，给三极管的集电极、发射极加上电压，使其具有放大能力。有手捏其基极、集电极时，就等于通过手的电阻给三极管加一正向偏流，使其导通，此时表针向右摆动幅度就反映出其放大能力的大小，因此可正确判别出发射极、集电极来。

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本手册由"场效应管对照表"和"外形与管脚排列图"两部分组成。 　　在场效应管对照表中，收编了美国、日本及欧洲等近百家半导体厂家生产的结型场效应晶体管（JFET）、金属氧化物半导体场次晶体管（MOSFET）、肖特基势垒控制栅场效应晶体管（SB）、金属半导体场效应晶体管（MES）、高电子迁移率晶体管（HEMT）、静电感应晶体管（SIT）、绝缘栅双极晶体管（IGBT）等属于场效应晶体管系列的单管、对管及组件等，型号达数万种之多。每种型号的场效应晶体管都示出其主要生产厂家、材料与极性、外型与管脚排列、用途与主要特性参数。同时还在备注栏列出世界各国可供代换的场效应晶体管型号，其中含国产场效应晶体管型号。 　1．"型号"栏 　表中所列各种场效应晶体管型号按英文字母和阿拉伯数字顺序排列。同一类型的场效应晶体型号编为一组，处于同一格子内，不用细线分开。 　2．"厂家"栏 　为了节省篇幅，仅列入主要厂家，且厂家名称采用缩写的形式表示。） 所到厂家的英文缩写与中文全称对照如下：
	ADV 美国先进半导体公司 AEG 美国AEG公司 AEI 英国联合电子工业公司 AEL 英、德半导体器件股份公司 ALE 美国ALEGROMICRO 公司 ALP 美国ALPHA INDNSTRLES 公司 AME 挪威微电子技术公司 AMP 美国安派克斯电子公司 AMS 美国微系统公司 APT 美国先进功率技术公司 ATE 意大利米兰ATES公司 ATT 美国电话电报公司 AVA 美、德先进技术公司 BEN 美国本迪克斯有限公司 BHA 印度BHARAT电子有限公司 CAL 美国CALOGIC公司 CDI 印度大陆器件公司 CEN 美国中央半导体公司 CLV 美国CLEVITE晶体管公司 COL 美国COLLMER公司 CRI 美国克里姆森半导体公司 CTR 美国通信晶体管公司 CSA 美国CSA工业公司 DIC 美国狄克逊电子公司 DIO 美国二极管公司 DIR 美国DIRECTED ENERGR公司 LUC 英、德LUCCAS电气股份公司 MAC 美国M/A康姆半导体产品公司 MAR 英国马可尼电子器件公司 MAL 美国MALLORY国际公司 MAT 日本松下公司 MCR 美国MCRWVE TECH公司 MIC 中国香港微电子股份公司 MIS 德、意MISTRAL公司 MIT 日本三菱公司 MOT 美国莫托罗拉半导体公司 MUL 英国马德拉有限公司 NAS 美、德北美半导体电子公司 NEW 英国新市场晶体管有限公司 NIP 日本日电公司 NJR 日本新日本无线电股份有公司 NSC 美国国家半导体公司 NUC 美国核电子产品公司 OKI 日本冲电气工业公司 OMN 美国OMNIREL公司 OPT 美国OPTEK公司 ORG 日本欧里井电气公司 PHI 荷兰飞利浦公司 POL 美国PORYFET公司 POW 美国何雷克斯公司 PIS 美国普利西产品公司 PTC 美国功率晶体管公司 RAY 美、德雷声半导体公司 REC 美国无线电公司 RET 美国雷蒂肯公司 RFG 美国射频增益公司 RTC 法、德RTC 无线电技术公司 SAK 日本三肯公司 SAM 韩国三星公司 SAN 日本三舍公司 SEL 英国塞米特朗公司	DIT 德国DITRATHERM公司 ETC 美国电子晶体管公司 FCH 美国范恰得公司 FER 英、德费兰蒂有限公司 FJD 日本富士电机公司 FRE 美国FEDERICK公司 FUI 日本富士通公司 FUM 美国富士通微电子公司 GEC 美国詹特朗公司 GEN 美国通用电气公司 GEU 加拿大GENNUM公司 GPD 美国锗功率器件公司 HAR 美国哈里斯半导体公司 HFO 德国VHB联合企业 HIT 日本日立公司 HSC 美国HELLOS半导体公司 IDI 美国国际器件公司 INJ 日本国际器件公司 INR 美、德国际整流器件公司 INT 美国INTER FET 公司 IPR 罗、德 I P R S BANEASA公司 ISI 英国英特锡尔公司 ITT 德国楞茨标准电气公司 IXY 美国电报公司半导体体部 KOR 韩国电子公司 KYO 日本东光股份公司 LTT 法国电话公司 SEM 美国半导体公司 SES 法国巴黎斯公司 SGS 法、意电子元件股份公司 SHI 日本芝蒲电气公司 SIE 德国西门子AG公司 SIG 美国西格尼蒂克斯公司 SIL 美、德硅技术公司 SML 美、德塞迈拉布公司 SOL 美、德固体电子公司 SON 日本萦尼公司 SPE 美国空间功率电子学公司 SPR 美国史普拉格公司 SSI 美国固体工业公司 STC 美国硅晶体管公司 STI 美国半导体技术公司 SUP 美国超技术公司 TDY 美、德TELEDYNE晶体管电子公司 TEL 德国德律风根电子公司 TES 捷克TESLA公司 THO 法国汤姆逊公司 TIX 美国德州仪器公司 TOG 日本东北金属工业公司 TOS 日本东芝公司 TOY 日本罗姆公司 TRA 美国晶体管有限公司 TRW 英、德TRN半导体公司 UCA 英、德联合碳化物公司电子分部 UNI 美国尤尼特罗德公司 UNR 波兰外资企业公司 WAB 美、德WALBERN器件公司 WES 英国韦斯特科德半导体公司 VAL 德国凡尔伏公司 YAU 日本GENERAL股份公司 ZET 英国XETEX公司

3．"材料"栏         本栏目注明各场效应晶体管的材料和极性，没有注明材料的均为SI材料，特殊类型的场效应晶体管也在这一栏中说明。         其英文与中文对照如下：        N-FET 硅N沟道场效应晶体管         P-FET 硅P沟道场效应晶体管         GE-N-FET 锗N沟道场效应晶体管         GE-P-FET 锗P沟道场效应晶体管         GaAS-FET 砷化镓结型N沟道场效应晶体管         SB肖特基势垒栅场效应晶体管         MES 金属半导体场效应晶体管（一般为N沟道，若P沟道则在备注栏中注明）         HEMT 高电子迁移率晶体管         SENSE FET 电流敏感动率MOS场效应管         SIT 静电感应晶体管         IGBT 绝缘栅比极晶体管         ALGaAS 铝家砷 4．"外形"栏         根据本栏中所给出的外形图序号，可在书末的"外形与管脚排列图"中查到该型号场效应晶体管的外形与管脚排列方式，但不考虑管子尺寸大小。注明"P-DIT"的为塑料封装双列直插式外形，"CER-DIP"的为陶瓷封装双列直插式外形，"CHIP"的为小型片状，"SMD"或"SO"的为表面封装，"SP"的为特殊外形，"LLCC"为无引线陶瓷片载体，"WAFER"的为裸芯片。 5．"用途与特性"栏         本栏中介绍了各种场效应晶体管的主要用途及技术特性参数。对于MOSFET增加了MOS -DPI表示增强型金属氧化物场效应晶体管或者MOS-ENH表示增强型金属氧化物场效应晶体管，没有注明的即结型场效应晶体管 其余的英文缩写与中文全称对照如下：
	A 宽频带放大 AM 调幅 CC 恒流 CHOP 斩波、限幅 C-MIC 电容话筒专用 D 变频换流 DC 直流 DIFF 差分放大 DUAL 配对管 DUAL-GATE 双栅四极 FM 调频 GEP 互补类型 HA 行输出级 HF 高频放大（射频放大） HG 高跨导 HI-IMP 高输入阻抗 HI-REL 高可靠性 LMP-C 阻抗变换 L 功率放大 MAP 匹配对管 MIN 微型 MIX或M 混频 MW 微波 NF 音频（低频）	O 振荡 S 开关 SW-REG 开关电源 SYM 对称类 TEMP 温度传感 TR 激励、驱动 TUN 调谐 TV 电视 TC 小型器件标志 UHF 超高频 UNI 一般用途 V 前置/输入级 VA 场输出级 VHF 甚高频 VID 视频 VR 可变电阻 ZF 中放 V-FET V型槽MOSFET MOS-INM MOSFET独立组件 MOS-ARR MOSFET陈列组件 MOS-HBM MOSFET半桥组件 MOS-FBM 全桥组件 MOS-TPBM MOSFET三相桥组件
技术特性参数列出极限参和特征参数，其中电压值：结型场效应晶体管为栅极间极电压Vgds或Vgdo,MOS场效应晶体管（含MES、HEMT）一般为漏极-源极间极限电压Vdss,IGBT晶体管为集电极发射极间极限电压（基极和发射极短路）V(br)ces ;电流值：耗尽型（含结型）为最大漏极电流Idss,增强型为漏极极限电流Id，IGBT晶体管为集电极最大直流电流Ic；功率值：一般为漏极耗散功率Pd，高频功率管有的列出漏极最大输出功率Po，IGBT晶体管为集电极耗散功率Pc，单位为W或DBM；场效应管高频应用的频率值：一般为特征频率Ft,有的为最高振荡频率FO；开关应用及功率MOS场效应管电阻值为漏极-源极间的导通电阻Rds，记为Ron，单位Ω；开关时间："/"(斜线)前为导通时间Ton , "/"后为关断时间Toff,部分开关时间为上升时间Tr，和下降时间Tf，IGBT晶体管"/"斜钱前为延迟时间与上升时间之和td+tr, "/"后为下降时间TR；低噪声的噪声特性参数用噪声系数NF（DB）或输入换算噪声电压En（VN）表示；对于对管列有表示对称性参数的栅源短路时的漏极电流之比⊿或栅源电压差⊿VGS或栅极电流差⊿JG；跨导值：表示放大能力的参数，多为最大跨导GM，单位MS（毫西门子）；栅泄漏电流值：表示输入阻抗特怕的能数，记为IGSS，单位NA或PA；夹断电压：表示关断行断特性的参数，记为VP,，单位V。 6，" 国内外相似型号"栏         本栏列出特性相似，可供代换的世界各国场效应晶体管型号，含国产场效应晶体管。这些型号的场效应晶体管一般都可以代换相应第一栏（"型号"栏）的场效应晶体管。这些管子多数可直接代换，但有个别型号的场效应晶体管因外形或管脚排列不同，不能直接代换使用，须加以注意。不过，这些场效应晶体管的主要技术能数与被代换场效应晶体管都比较接近。         这一栏里还对一些特殊的特性、参数以备注的形式进行说明。其中KOMPL（有时排印为KPL.）后的场效应晶体管为第一栏晶体管的互补管。注明INTEGR.D.的表示管内含有复合二极管。对组件注有XN中N 为组件中的器件数目。

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1．输出特性曲线
    输出特性曲线用来描述vGS取一定值时，电流iD和电压vDS间的关系，即

                               
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。它反映了漏极电压vDS对iD的影响。

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图XX_01

图XX_01是一个N沟道结型场效应管的输出特性曲线。由此图可见，结型场效应管的工作状态可划分为四个区域。
(1) 可变电阻区
可变电阻区位于输出特性曲线的起始部分，它表示vDS较小、管子预夹断前，电压vDS与漏极电流iD间的关系。
在此区域内有VP＜vGS≤0，vDS＜vGS－VP。当vGS一定，vDS较小时，vDS对沟道影响不大，沟道电阻基本不变，iD与vDS之间基本呈线性关系。若

                               
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增加，则沟道电阻增大，输出特性曲线斜率减小。所以，在vDS较小时，源、漏极间可以看作是一个受vGS控制的可变电阻，故称这一区域为可变电阻区。这一特点常使结型场效应管被作为压控电阻而广泛应用。
(2) 饱和区(也称恒流区)
当VP＜vGS≤0且vDS≥vGS－VP时，N沟道结型场效应管进入饱和区，即图中特性曲线近似水平的部分。它表示管子预夹断后，电压vDS与漏极电流iD间的关系。饱和区的特点是iD几乎不随vDS的变化而变化，iD已趋于饱和，但它受vGS的控制。

                               
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增加，沟道电阻增加，iD减小。场效应管作线性放大器件用时，就工作在饱和区。

应当指出，图XX_01中左边的虚线是可变电阻区与饱和区的分界线，是结型场效应管的预夹断点（vDS=vGS-VP）的轨迹。显然，预夹断点随vGS改变而变化，vGS愈负，预夹断时的vDS越小。
(3) 击穿区
管子预夹断后，若vDS继续增大，当栅漏极间P+N结上的反偏电压vGD增大到使P+N结发生击穿时，iD将急剧上升，特性曲线进入击穿区。管子被击穿后再不能正常工作。
(4) 截止区(又称夹断区)
当栅源电压

                               
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≥

                               
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时，沟道全部被夹断，iD≈0，这时场效应管处于截止状态。截止区处于输出特性曲线图的横座标轴附近(图XX_01中未标注)。
2. 转移特性曲线
转移特性曲线用来描述vDS取一定值时，iD与vGS间的关系的曲线，即

                               
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它反映了栅源电压vGS对iD的控制作用。
由于转移特性和输出特性都是用来描述vGS、vDS及iD间的关系的，所以转移特性曲线可以根据输出特性曲线绘出。作法如下：在图XX_01所示的输出特性中作一条vDS=10V的垂线，将此垂线与各条输出特性曲线的交点A、B和C所对应的iD、vGS的值转移到iD-vGS直角坐标系中，即可得到转移特性曲线

                               
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，如图XX_02(a)所示。

登录/注册后可看大图	登录/注册后可看大图
(a)vDS=10V时的转移特性曲线	(b)vDS取不同值时的转移特性曲线
图XX_02

改变vDS的大小，可得到一族转移特性曲线，如图XX_02(b)所示。由此图可以看出，当vDS≥

                               
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（图中为vDS≥5V）后，不同vDS下的转移特性曲线几乎重合，这是因为在饱和区内iD几乎不随vDS而变。因此可用一条转移特性曲线来表示饱和区中iD与vGS的关系。在饱和区内iD可近似地表示为

                               
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(VP＜vGS≤0) (5.1.1)
式中IDSS为vGS=0，vDS≥

                               
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时的漏极电流，称为饱和漏极电流。
　
1. 夹断电压VP。当vDS为某一固定值(例如10V)，使iD等于某一微小电流(例如50mA)时，栅源极间所加的电压即夹断电压。
2. 饱和漏极电流IDSS。在vGS=0的条件下，场效应管发生预夹断时的漏极电流。对结型场效管来说，IDSS也是管子所能输出的最大电流。
3. 直流输入电阻RGS。它是在漏源极间短路的条件下，栅源极间加一定电压时的栅源直流电阻。
4. 低频跨导gm。当vDS为常数时，漏极电流的微小变化量与栅源电压vGS的微小变化量之比为低频跨导，即

                               
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(5.1.2)
gm反映了栅源电压对漏极电流的控制能力，是表征场效应管放大能力的一个重要参数。单位为西门子(s)，有时也用ms或ms表示。需要指出的是，gm与管子的工作电流有关，iD越大，gm就越大。在放大电路中，场效应管工作在饱和区(恒流区)，gm可由式和计算求得，即

                               
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5. 输出电阻rd。当vGS为常数时，漏源电压的微小变化量与漏极电流iD的微小变化量之比为输出电阻rd，即

                               
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rd反映了漏源电压vDS对iD的影响。在饱和区内，iD几乎不随vDS而变化，因此，rd数值很大，一般为几十千欧~几百千欧。
6. 极间电容Cgs、Cgd、Cgs。Cgs是栅源极间存在的电容，Cgd是栅漏极间存在的电容。它们的大小一般为1~3pF，而漏源极间的电容Cds约为0.1~1pF。在低频情况下，极间电容的影响可以忽略，但在高频应用时，极间电容的影响必须考虑。
7. 最大漏源电压V(BR)DS。指管子沟道发生雪崩击穿引起iD急剧上升时的vDS值。V(BR)DS的大小与vGS有关，对N沟道而言，vGS的负值越大，则V(BR)DS越小。
8. 最大栅源电压V(BR)GS。是指栅源极间的PN结发生反向击穿时的vGS值，这时栅极电流由零而急剧上升。
9. 漏极最大耗散功率PDM。漏极耗散功率PD(=vDSiD)变为热能使管子的温度升高，为了限制管子的温度，就需要限制管子的耗散功率不能超过PDM。PDM的大小与环境温度有关。
除了以上参数外，结型场效应管还有噪声系数，高频参数等其他参数。结型场效应管的噪声系数很小，可达1.5dB以下。

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MOS场效应管的检测方法
（1）．准备工作
　　测量之前，先把人体对地短路后，才能摸触MOSFET的管脚。最好在手腕上接一条导线与大地连通，使人体与大地保持等电位。再把管脚分开，然后拆掉导线。
（2）．判定电极
　　将万用表拨于R×100档，首先确定栅极。若某脚与其它脚的电阻都是无穷大，证明此脚就是栅极G。交换表笔重测量，S-D之间的电阻值应为几百欧至几千欧，其中阻值较小的那一次，黑表笔接的为D极，红表笔接的是S极。日本生产的3SK系列产品，S极与管壳接通，据此很容易确定S极。
（3）．检查放大能力（跨导）
　　将G极悬空，黑表笔接D极，红表笔接S极，然后用手指触摸G极，表针应有较大的偏转。双栅MOS场效应管有两个栅极G1、G2。为区分之，可用手分别触摸G1、G2极，其中表针向左侧偏转幅度较大的为G2极。
　　目前有的MOSFET管在G-S极间增加了保护二极管，平时就不需要把各管脚短路了。
（4）用万用表R×10kΩ挡(内置有15V电池)，把负表笔(黑)接栅极(G)，正表笔(红)接源极(S)。给栅、源极之间充电，此时万用表指针有轻微偏转。再改用万用表R×1Ω挡，将负表笔接漏极(D)，正笔接源极(S)，万用表指示值若为几欧姆，则说明场效应管是好的 。

　　MOS场效应晶体管使用注意事项。
　　MOS场效应晶体管在使用时应注意分类，不能随意互换。MOS场效应晶体管由于输入阻抗高（包括MOS集成电路）极易被静电击穿，使用时应注意以下规则：
（1）.   MOS器件出厂时通常装在黑色的导电泡沫塑料袋中，切勿自行随便拿个塑料袋装。也可用细铜线把各个引脚连接在一起，或用锡纸包装
（2）.取出的MOS器件不能在塑料板上滑动，应用金属盘来盛放待用器件。
（3）. 焊接用的电烙铁必须良好接地。
（4）. 在焊接前应把电路板的电源线与地线短接，再MOS器件焊接完成后在分开。
（5）. MOS器件各引脚的焊接顺序是漏极、源极、栅极。拆机时顺序相反。
（6）.电路板在装机之前，要用接地的线夹子去碰一下机器的各接线端子，再把电路板接上去。
（7）. MOS场效应晶体管的栅极在允许条件下，最好接入保护二极管。在检修电路时应注意查证原有的保护二极管是否损坏。

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