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运放电路相关知识及应用电路

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发表于 2009-1-9 18:03:04  | 显示全部楼层

运算放大器电路的固有噪声分析与测量(四):SPIC噪声分析介绍

在本系列的第三部分,我们对简单的运算放大器电路进行了实际分析。在本部分中,我们将采用所谓 “TINA SPICE” 电路模拟套件来分析运算放大器电路。(您可在 TI 网站 www.ti.com 上通过输入 TINA 搜索,获得 TINA SPICE 的免费版 TINA-TI)。TINA SPICE 能够就 SPICE 套件进行传统类型的模拟(如 dc、瞬态、频率域分析、噪声分析等)。此外,TINA-TI 还配有众多 TI 模拟宏模型。 在本部分,我们将介绍 TINA 噪声分析以及如何证明运算放大器的宏模型能准确对噪声进行建模。重要的是,我们应当了解,有些模型可能不能对噪声做适当建模。为此,我们可以用一个简单的测试步骤来加以检查,并通过用分离噪声源和通用运算放大器开发自己的模型来解决这一问题。 测试运算放大器噪声模型的准确性 图 4.1 显示了用于确认运算放大器噪声模型准确性的测试电路。CCV1 是一种流控电压源,我们用它来将噪声电流转换为噪声电压。之所以要进行这种转换,是因为TINA 中的“输出噪声分析”需要对噪声电压进行严格检查。CCV1 的增益必须如图所示设为 1,这样电流就能直接转换为电压。运算放大器采用电压输出器配置,这样输出就能反映输入噪声情况。TINA 能够识别到两个输出测量节点 “voltage_noise” 与 “current_noise”,它们用于生成噪声图。由于 TINA 需要输入源才能进行噪声分析,因此我们添加了信号源 VG1。我们将此信号源配置成正弦曲线,但这对噪声分析并不重要(见图 4.2)。

                               
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图 4.1:配置噪声测试电路(设置 CCV1 增益为 1)。

                               
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图 4.2:配置噪声测试电路(设置信号源 VG1)。
随后,我们可从下来菜单中选择 “分析\噪声分析”( 如图 4.3 所示),进行噪声分析,这将生成噪声分析表。然后输入需要的起始和终止频率。该频率范围由受测试的运算放大器的规范决定。就本例而言,OPA227 的规范要求频率范围为 0.1 Hz~10 kHz,也就是说,这就是适合本例的频率范围。随后,在 “图表” 项下选择 “输出噪声” 选项,便可针对电路中每个测量节点(仪表)生成不同的频谱密度曲线。这样,我们进行分析时,就能获得两个频谱密度曲线图,一个是针对 “电压噪声”节点,另一个则是针对 “电流噪声” 节点。

                               
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图 4.3:执行 “噪声分析” 选项。
图 4.4 显示了噪声分析的结果。我们可用一些简单的方法来将曲线转换为更有用的形式。首先,我们点击 “视图” 菜单下的 “曲线分离”,随后,再点击 Y 轴并选择 “对数” 标度。根据适当范围设置上下限(四舍五入到 10 的N次幂)。点数调节为 1+Number_of_Decades。在本例中,我们有三个十倍频程(即100f ~100p),因此,我们需要四点(见图 4.5)。

                               
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图 4.4:转变为更有用的格式的简单方法(曲线分离)。

                               
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图 4.5:转变为更有用的格式的简单方法(变为对数标度)。
我们将模拟结果与图 4.6 中的 OPA227 数据表相比较。请注意,二者几乎相同。这就是说,OPA227 的 TINA-TI 模型能准确进行噪声建模。我们对 OPA627 模型也采用与上述相同的步骤,图 4.7 显示了测试结果,发现 OPA627 模型没能通过测试。OPA627 模型的电流噪声频谱密度约为 3.5E-21A/rt-Hz,而规范要求则为 2.5E-15A/rt-Hz。此外,模型中的电压噪声未体现 l/f 区。下面,我们将为这款运算放大器建模,实现适当的噪声建模。

                               
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图 4.6:OPA227 通过建模测试。

                               
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图 4.7:OPA627 未通过建模测试。

建立自己的噪声模型 在第二部分中,我们曾介绍过运算放大器噪声模型,它包括运算放大器、电压噪声源和电流噪声源。我们将用分离噪声源和通用运算放大器来构建这一噪声模型。模拟与 Rf 模型 (Analog & Rf models) 公司的Bill Sands为 TI 开发了分离噪声源。您可从 TI 网站 www.ti.com下载这种噪声源,只需搜索 “TINA-TI 应用原理图” 并查找 “噪声分析”文件夹即可。我们还在附录 4.1 和 4.2 中给出了“ TINA 宏”列表。 图 4.8 显示了用于创建噪声模型的电路。请注意,这就是我们此前使用的测试电路配置。该电路配置中有一个连接在输入端之间的电流噪声源。严格地说,实际上有两个电流噪声源。不过,我们从产品说明书很难说清楚这些信号源之间的相互关系。而且,在电流反馈放大器中这些信号源的信号幅度不同。我们在以后的文章中将更详细地探讨上述问题。我们将对电路加以定制,以便对 OPA627 的噪声特点进行适当建模。

                               
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图 4.8:采用分离噪声源的运算放大器噪声模型。
首先,我们应配置噪声电压源。这只需在噪声源上右击并选择 “进入宏 ”即可(见图4.9)。进入“宏”后,弹出文本编辑器,为SPICE宏模型给出了源列表。图 4.10 显示了应加以编辑的 “.PARAM” 信息,以匹配于数据表。请注意,NLF 是l/f 区中某一点的噪声频谱密度(单位为 nV/rt-Hz)。FLW 是选中点的频率。

                               
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图 4.9:进入宏以配置噪声电压源。

                               
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图 4.10:输入 1/f 区数据。
随后,我们应输入宽带噪声频谱密度,这里要用到 NVR 参数。请注意,由于宽带噪声强度就所有频率而言都是一样的,因此这里不需要输入频率(见图4.11)。输入噪声信息之后,我们必须编辑并关闭 SPICE 文本编辑器。点击“校验框”,注意到状态栏会显示 “编辑成功” 消息。在 “文件” 菜单下选择“关闭”,返回原理图编辑器(见图 4.12)。

                               
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图 4.11:输入宽带区数据。
我们对电流噪声源也要采取相同步骤。就此示例来说,电流源没有 1/f 噪声。这时,宽带频谱密度和 1/f “.PARAM” 均设为2.5fA/rt-Hz。1/f 频率通常设为非常低的频率,如 0.001Hz (见图 4.13)。

                               
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图 4.12:编辑 “宏” 并 “关闭”。

                               
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图 4.13:输入电流噪声源数据。

现在,我们对两种噪声源都进行了适当配置,接下来就要编辑通用运算放大器模型中的一些 AC 参数了。具体说来,必须输入开环增益和主导极点,因为它们会影响放大器的闭环带宽,反过来闭环带宽又会影响电路的噪声特性。开环增益在数据表中通常采用 dB 为单位。我们可用方程式 4.1 将 dB 转换为线性增益。我们还可用方程式 4.2 来计算 Aol 曲线中的主导极点。例 4.1 就 OPA627 进行了主导极点计算。图 4.14 给出了主导极点的图示。

                               
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方程式4.1:将 dB 转化为线性增益。

                               
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方程式4.2:计算主导极点。

                               
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例 4.1:查找 OPA627 的线性开环增益和主导极点。

                               
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图 4.14:增益主导极点与频率关系图。
下面,我们应编辑通用运算放大器模型,其中包括开环增益和主导极点。只需双击运算放大器标志并按下 “类型” 按钮即可,这将启动“目录编辑器”。在“目录编辑器”中,我们要修改“开环增益”以匹配于我们在例 4.1 中计算所得的结果。图 4.15概述了相关步骤。

                               
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图 4.15:编辑通用运算放大器。
现在,运算放大器的噪声模型已经构建完毕。图 4.16 显示了模型上运行测试的过程及结果。正如我们所期望的那样,新模型与数据表刚好匹配。

                               
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图 4.16:“手工构建的”新模型顺利通过模型测试。
用 TINA 分析第三部分中的电路 图 4.17 显示了采用 Tina SPICE 的 OPA627 建模原理图。请注意,第四部分讨论了通过用分离噪声源和通用运算放大器开发自己的模型来对噪声进行适当建模的方法,此外,电阻 Rf 和 R1 匹配于第三部分中的示例电路。

                               
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图 4.17:OPA627 电路示例。
我们可从下来菜单中选择 “分析\噪声分析”,进行 Tina SPICE 噪声分析,这将生成噪声分析表。我们可在噪声分析表上选择 “输出噪声” 和 “总噪声”选项。“输出噪声” 选项将针对所有测试点(即带仪表的节点)生成噪声频谱密度图。“总噪声”将生成功率谱密度曲线图积分结果。我们可通过总噪声曲线明确电路的均方根输出噪声电压。图 4.18 显示了如何执行噪声分析。

                               
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图 4.18:运行噪声分析。
图 4.19 和图 4.20 显示了 TINA 噪声分析的结果。图 4.19 给出了放大器输出处的噪声频谱密度(即输出噪声)。该曲线结合了所有噪声源,并包括噪声增益的效果和噪声带宽。图 4.20 显示了给定带宽下放大器输出处的总噪声。我们也可以求功率频谱密度曲线的积分(即电压频谱密度的平方),从而推导出该曲线。请注意,该曲线在高频下为常量,即323uVrms。这一结果与第三部分中计算得出的均方根噪声相匹配(我们计算所得的噪声为324uV)。还要注意,该噪声为常量,这是由于运算放大器的带宽限制使然。

                               
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图 4.19:输出噪声图结果。

                               
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图 4.20:总噪声图结果。
本文总结和下文内容提要 在本文中,我们介绍了称作 TINA SPICE 的电路模拟套件。我们用 TINA 开发了一套简单的测试步骤来检查运算放大器模型是否可以准确对噪声进行建模。在某些情况下,有的模型不能通过测试,因此,我们就用分离噪声源和通用运算放大器开发出了我们自己的模型。我们还用 TINA 来计算第三部分实际分析中所用的示例电路的噪声。在第五部分,我们将分析测试噪声的方法,特别是要对此前章节中的噪声计算结果进行物理测量。 致谢! 特别感谢以下 TI人员提供的技术意见:
* Rod Bert,高级模拟 IC 设计经理;
* Bruce Trump,线性产品经理;
* Tim Green,应用工程设计经理;
* Neil Albaugh,高级应用工程师;
* Bill Sands,模拟与 Rf 模型 (Analog & Rf models) 公司技术顾问; http://www.home.earthlink.net/%7ewksands/ 参考书目 1.) Robert V. Hogg 与 Elliot A Tanis 共同编著的《概率与统计推断》,第三版,麦克米兰出版公司 (Macmillan Publishing Co.) 出版;
2.) C. D. Motchenbacher 与 J. A. Connelly 共同编著的《低噪声电子系统设计》,Wiley-Interscience Publication 出版。 作者:Art Kay,德州仪器 (TI) 高级应用工程师 关于作者: Arthur Kay是 TI 的高级应用工程师。他专门负责传感器信号调节器件的支持工作。他于 1993 年毕业于佐治亚理工学院 (Georgia Institute of Technology),并获得电子工程硕士学位。 附录 4.1:电压噪声宏 * BEGIN PROG NSE NANO VOLT/RT-HZ
.SUBCKT VNSE 1 2
* BEGIN SETUP OF NOISE GEN - NANOVOLT/RT-HZ
* INPUT THREE VARIABLES
* SET UP VNSE 1/F
* NV/RHZ AT 1/F FREQ
.PARAM NLF=15
* FREQ FOR 1/F VAL
.PARAM FLW=10
* SET UP VNSE FB
* NV/RHZ FLATBAND
.PARAM NVR=4.5
* END USER INPUT
* START CALC VALS
.PARAM GLF={PWR(FLW,0.25)*NLF/1164}
.PARAM RNV={1.184*PWR(NVR,2)}
.MODEL DVN D KF={PWR(FLW,0.5)/1E11} IS=1.0E-16
* END CALC VALS
I1 0 7 10E-3
I2 0 8 10E-3
D1 7 0 DVN
D2 8 0 DVN
E1 3 6 7 8 {GLF}
R1 3 0 1E9
R2 3 0 1E9
R3 3 6 1E9
E2 6 4 5 0 10
R4 5 0 {RNV}
R5 5 0 {RNV}
R6 3 4 1E9
R7 4 0 1E9
E3 1 2 3 4 1
C1 1 0 1E-15
C2 2 0 1E-15
C3 1 2 1E-15
.ENDS
* END PROG NSE NANOV/RT-HZ 附录 4.2:电流噪声宏
* BEGIN PROG NSE FEMTO AMP/RT-HZ
.SUBCKT FEMT 1 2
* BEGIN SETUP OF NOISE GEN - FEMPTOAMPS/RT-HZ
* INPUT THREE VARIABLES
* SET UP INSE 1/F
* FA/RHZ AT 1/F FREQ
.PARAM NLFF=2.5
* FREQ FOR 1/F VAL
.PARAM FLWF=0.001
* SET UP INSE FB
* FA/RHZ FLATBAND
.PARAM NVRF=2.5
* END USER INPUT
* START CALC VALS
.PARAM GLFF={PWR(FLWF,0.25)*NLFF/1164}
.PARAM RNVF={1.184*PWR(NVRF,2)}
.MODEL DVNF D KF={PWR(FLWF,0.5)/1E11} IS=1.0E-16
* END CALC VALS
I1 0 7 10E-3
I2 0 8 10E-3
D1 7 0 DVNF
D2 8 0 DVNF
E1 3 6 7 8 {GLFF}
R1 3 0 1E9
R2 3 0 1E9
R3 3 6 1E9
E2 6 4 5 0 10
R4 5 0 {RNVF}
R5 5 0 {RNVF}
R6 3 4 1E9
R7 4 0 1E9
G1 1 2 3 4 1E-6
C1 1 0 1E-15
C2 2 0 1E-15
C3 1 2 1E-15
.ENDS
* END PROG NSE FEMTO AMP/RT-HZ
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发表于 2009-1-9 18:05:45  | 显示全部楼层

运算放大器电路的固有噪声分析与测量(五):噪声测量简介

第四部分中,我们采用了 TINA SPICE 来分析运算放大器 (op amp) 中的噪声。同时,TINA SPICE 分析所采用的示范电路也可用于第三部分的工艺分析 (hand analysis) 范例中,而且使用工艺分析和 TINA SPICE 所得出的结果非常接近。在第五部分中,我们将着重介绍用于噪声测量的几款不同型号的设备,并探讨设备的技术规范以及与噪声测量有关的运行模式。虽然探讨的是具体的设备型号,但是相关的原理适用于大多数的设备。在第六部分中,我们将向您展示实际的应用范例——如何运用相关设备来测量第三部分和第四部分中所阐述的电路。 噪声测量设备:真正的 RMS DVM 噪声测量试验设备有三种:分别为真有效值 (RMS) 表、示波器以及光谱分析仪。真有效值表可以测量各种不同波形的 AC 信号 RMS 电压。通常情况下,很多仪表通过检测峰值电压,然后将峰值电压乘以 0.707,计算出 RMS 值。然而,采用这种有效值计算方法的仪表并不是真正的 RMS 表,因为这种仪表在测量时,通常假定波形为正弦波。另一方面,一款真正的 RMS 表可以测量诸如噪声等非正弦波形。 许多高精度的数字万用表 (DMM) 都具有真正的 RMS 功能。通常而言,数字万用表通过将输入电压数字化、采集数以千计的样本并对 RMS 值进行数学计算,来实现上述功能。一款 DMM 在完成该测量时通常要具备两种设置:“AC 设置”以及“AC+DC 设置”。在“AC”设置模式下,DMM 输入电压为连接到数字转换器的 AC 电压。因此,此时 DC 组件处于隔离状态——这是进行宽带噪声测量理想的运行模式,因为,从数学层面上来说,测量结果等同于噪声的标准偏差。在“AC+DC”设置模式下,输入信号直接被数字化,同时完成了对 RMS 值的计算。这种运行模式不能用于宽带噪声测量。如欲了解典型的高精度真正 RMS 表的结构图,敬请参阅图 5.1。

                               
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图5.1:典型的高精度真正 RMS DVM 的示例。
当使用真正的 RMS DVM 测量噪声时,您必须考虑其技术规范和不同的运行模式。部分 DMM 具有专门针对宽带噪声测量优化的特殊运行模式。在这种模式下,DMM 就成为一款真正的 RMS,运行模式为 AC 耦合模式,其能够测量从 20 Hz 至 10 MHz 的带宽噪声。对于一款高精度 DMM 来说,20uV 是固有噪声的典型值。如欲了解这些技术规范的一览表,敬请参阅图 5.2。请注意,只要将 DMM 输入端进行短路,就能测出固有噪声。

                               
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图5.2:典型的高精度仪表规范一览表。
噪声测量的设备:示波器 采用真正的 RMS 仪表测量噪声的一个不足之处在于:这种仪表不能识别噪声的性质。例如,真正的 RMS 仪表不能识别特定频率时噪声拾波 (noise pickup) 和宽带噪声之间的区别。然而,示波器能使您观察到时域噪声波形。值得注意的是,大多数不同类型噪声的波形差异性很大,因此,利用示波器能够确定何种噪声影响最大。 数字和模拟示波器均可用于噪声测量。由于噪声在性质方面的随意性,因此噪声信号不能触发模拟示波器,只有重复性波形才能触发模拟示波器。然而,当存在噪声源输入时,模拟示波器上则显示出独特的影像。图 5.3 显示了采用模拟示波器进行宽带测量得出的结果。值得注意的是,由于显示的荧光特性以及噪声对模拟示波器的非触发性,模拟示波器常常生成一般和“拖尾”波形。大多数标准模拟示波器的缺点就是,它们不能检测到低频噪声(1/f 噪声)。

                               
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图5.3:模拟示波器上的白噪声。
数字示波器具有诸多有助于测量噪声的实用的特性,其能检测到低频噪声波形(如 1/f 噪声)。同时,数字示波器还可以对 RMS 进行数学计算。图 5.4 所示的噪声源与图 5.3 中的噪声源相同的,这种噪声源采用数字示波器才能检测出。

                               
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图5.4:数字示波器上的白噪声。

当使用示波器测量噪声时,应遵循一些通用指南。首先,在测量噪声信号前,有一项重要的工作就是检查示波器的固有噪声。这项检查工作可以通过连接示波器输入端的 BNC 短路电容器 (shorting cap),或将示波器引线与接地短路连接(如果采用了 1x 探针)。这种考虑之所以这么重要,是因为采用 1x 探针时的测量范围会小 10 倍。大多数质量上乘的示波器都拥有 1mV/division 量程,并配有 1x 示波器探针或 BNC 直接连接;同时,还具有带 10x 探针的 10mV/division 固有噪声。 需要注意的是,与 1x 示波器探针相比,我们应优先考虑 BNC 直接连接,因为接地的连接方式能够减小 RFI / EMI 干扰(请参阅图 5.5)。其中一种避免这种情况的方法就是,拆除示波器探针的接地引线和上端引线 (top cover),同时在探针的侧面进行接地(请参阅图 5.6)。图 5.7 显示了一个 BNC 短路电容。

                               
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图5.5:接地能够减小 RFI / EMI 干扰。

                               
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图5.6:拆除接地的示波器探针。

                               
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图5.7:BNC 短路电容。
大多数示波器都具有带宽限制功能。为了准确测量噪声,示波器的带宽必须比所测量电路中的噪声带宽高。但是,为了获得最佳的测量结果,示波器的带宽应调整为大于噪声带宽的某一数值。例如,假设示波器全带宽为 400 MHz,当开启限制功能时,带宽则为 20 MHz。如果使用 100 kHz 的噪声带宽测量电路中的噪声,此时开启带宽限制功能,才有实际意义。就这个示例而言,由于超过带宽的 RFI/EMI 干扰将被消除,因此固有噪声较低。图 5.8和图 5.9 显示了具有和不具有带宽限制功能的典型数字示波器的固有噪声。图 5.10 显示了采用 10x 探针示波器的固有噪声相当高。

                               
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图5.8:具有 1x 探针和带宽限制功能的示波器固有噪声。

                               
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图5.9:具有 1x 探针,但不具备带宽限制功能的示波器固有噪声。

                               
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图5.10:具有 10x 控针,但不具备带宽限制功能的示波器固有噪声。

另外,当开展噪声测量工作时,必须考虑示波器的耦合模式。通常情况下,在一个数值较高的 DC 电压下工作才会产生噪声信号,因此宽带测量时,应采用 AC 耦合模式。例如,1mVpp 噪声信号在 2V 的 DC 信号时,才能被触发。因此,在 AC 耦合模式下,AC 信号被剔除,从而获得了最高的增益。但是,需要特别说明的是,AC 耦合模式不能用于测量 1/f 噪声。这是因为在 AC 耦合模式下,带宽的截止频率通常较低,约为 10 Hz。当然,该截止频率也会因耦合模式的不同而有所差别,但是,关键问题是这一较低的截止频率对大部分的 1/f 噪声测量而言过高。一般而言,1/f的大小从 0.1 至 10 Hz 不等。因此,进行 1/f 的测量工作时,通常采用具有外部带通滤波器的 AC 耦合模式。图 5.11 对使用示波器进行噪声测量的通用指南作了总结。

                               
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图5.11:使用示波器进行噪声测量的通用指南。
噪声测量设备:频谱分析仪 频谱分析仪是进行噪声测量的功能强大的工具。一般说来,频谱分析仪能够显示功率(或电压)与频率之间的关系,其与噪声谱密度曲线相类似。实际上,一些频谱分析仪具有特殊的运行模式,这种运行模式使测量结果以频谱密度单位(即 nV/rt-Hz)的形式,直接显示出来。在其他情况下,测量结果必须乘以一个校正系数,从而将相关计量单位转化成频谱密度单位。 频谱分析仪和示波器一样,既有数字型的,也有模拟型的。模拟频谱分析仪生成频谱曲线的一种方法是:扫描各种频率下的带通滤波器,同时标绘出滤波器的测量输出值。另一种方法是运用超外差接收技术,该技术在各种频率下完成对本地振荡器的扫描。然而,数字频谱分析仪则采用快速傅里叶变换来产生频谱(常常与超外差接收技术配合使用)。 虽然所使用的频谱分析仪型号各异,但是一些主要参数仍需予以考虑。起始和终止频率表明了带通滤波器被扫描的频率范围。分辨率带宽是带通滤波器在频率范围内被扫描的宽度。降低分辨率带宽,则能提升频谱分析仪处理在离散频率时信号的能力,同时,将延长扫描时间。图 5.13 说明了扫描滤波器的运行情况,图 5.14 和图 5.15 显示了同一频谱分析仪采用不同分辨率带宽时,所得出的两种测量结果。在图 5.14 中,由于分辨率带宽被设置得非常小,从而使离散频率分量(即 150 Hz)得到了妥善处理。另一方面,在图 5.15 中,由于分辨率带宽被设置得非常大,使离散频率分量(即 1200 Hz)未能得到妥善处理。

                               
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图5.12:频谱分析仪运行情况。

                               
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图5.13:针对高分辨率信号选择的分辨率带宽。

                               
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图5.14:针对低分辨率信号选择的分辨率带宽。

在图 5.13 和图 5.14 中,频谱的大小以分贝毫瓦 (dBm) 为单位表示,这是频谱分析仪常用的测量单位。一分贝毫瓦是指相对于一毫瓦,用分贝来计量的功率比值。就本例中的频谱分析仪而言,分贝毫瓦的测量也要事先假设输入阻抗为 50 欧姆。对大多数的频谱分析仪而言,当输入阻抗选择为 1M 欧姆时,情况也是如此。图 5.15列出了将分贝毫瓦转化为电压有效值所采用公式的推导过程。在图 5.16 中,该公式用于计算在图 5.13 – 5.14 中列出的测量结果 —— –10 dBm信号的电压有效值。 从图 5.13 – 5.14 中,我们可以看出,当分辨率带宽降低时,固有噪声则从 –87 dBm 增加到 –80 dBm。另一方面,当分辨率带宽发生改变时,频率处于 67 kHz 和 72 kHz 时的信号幅度并未发生改变。固有噪声之所以受分辨率带宽的影响,是因为其为热噪声,因此,带宽的提高也增加了热噪声总量。另外,由于信号波形为正弦波曲线,而且不管带宽如何变化,带通滤波器内部的振幅都会保持恒定,因此,频率处于 67 kHz 和 72 kHz 时的信号幅度并不会受分辨率带宽的影响。因为我们必须清楚在频谱密度计算中不应该包含离散信号,所以,有关噪声分析方面的特性应引起我们足够的重视。比如,当测量运算放大器的噪声频谱密度时,您会发现频率在 60 Hz(功率上升线)时出现的一个离散信号。因为这个 60 Hz 的信号并非频谱密度,而是一个离散信号,所以它并未包含在功率噪声频谱密度曲线中。

                               
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图5.15:将分贝毫瓦转化为电压有效值。

                               
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图5.16:将分贝毫瓦转化为电压有效值。
一些频谱分析仪同噪声频谱密度一样,可以 nV/rt-Hz 为单位显示频谱幅度。但是,如果不具备这种功能,我们可以用频谱幅度除以分辨率噪声带宽的平方根来计算频谱密度。需要说明的是,通常我们需要一个换算系数,将分辨率带宽转化成分辨率噪声带宽。图 5.17 给出了将分贝毫瓦频谱转化成频谱密度的方程式。图 5.17 还给出了将分辨率带宽转化成噪声带宽所需的换算系数表。图 5.18 显示了将示例频谱分析仪中的频谱转化为频谱密度的实例。

                               
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图5.17:将 dBm 转化为频谱密度的方程式。
此表摘自安捷伦频谱分析仪测量和噪声应用手册 1303 页 [1]

                               
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图5.18:将 dBm 转化为频谱密度的方程式。

                               
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图5.19:频谱分析仪测量结果向频谱密度转化的实例。
另外,大多数频谱分析仪都具有计算平均值的功能。这一功能消除了测量波动的影响,因此,测量结果的重复性更高。平均值的数量由频谱分析仪的前置面板输入(通常从 1 至 100)。图 5.20 – 5.22 显示了采用不同的平均值水平,测量得出的同一信号。

                               
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图5.20 关闭平均值功能时的频谱分析仪。

                               
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图5.21 平均值 = 2 时的频谱分析仪。

                               
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图5.22 平均值 = 49 时的频谱分析仪。
当使用(或选择)频谱分析仪时,我们需要考虑的主要技术规范就是固有噪声和带宽。图 5.23 中的表格列出了两款不同频谱分析仪的部分技术规范。

                               
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图5.23:两款不同频谱分析仪的技术规范比较。
总结与回顾 本文介绍了用于噪声测量的几款不同型号的设备,重点阐述了设备的技术规范以及与噪声有关的主要运行模式。需要特别说明的是,虽然探讨的是具体型号的设备,但是其中的工作原理适用于大部分的设备。本文旨在帮助您在选择噪声测量设备时,应考虑的主要规格参数。在第六部分,我们将列举使用该设备的实际应用范例。 感谢 特别感谢 TI 的技术人员,感谢他们在技术方面所提供的真知灼见。这些技术人员包括: * 高级模拟 IC 设计经理 Rod Burt
* 线性产品经理 Bruce Trump
* 应用工程经理 Tim Green
* 高速产品市场开发经理 Michael Steffes 参考书目
[1] 安捷伦频谱分析仪测量与噪声应用手册 1303 页,2003 年 12 月版(网址:www.agilent.com
[2] 概率与统计参考,第三版,作者:Robert V. Hogg 和 Elliot A Tanis。由麦克米兰出版公司 (Macmillan Publishing Co) 出版。
[3] 低噪声电子系统设计,作者:C. D. Motchenbacher 和 J. A. Connelly,由 Wiley InterScience 公司出版。 作者:德州仪器 (TI) 高级应用工程师 Art Kay 作者简介 Arthur Kay 先生现任 TI 高级应用工程师,专门负责传感器信号调节器件的技术支持工作。他于 1993 年毕业于乔治亚理工学院 (Georgia Institute of Technology),获电子工程硕士学位。
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发表于 2009-1-9 18:07:53  | 显示全部楼层

运算放大器电路的固有噪声分析与测量(六):噪声测量实例

在第 5 部分我们介绍了不同类型的噪声测量设备。我们将在第 6 部分讨论与噪声测量相关的参数和操作模式。在这里我们将列举一些实际应用的例子,来说明如何使用该设备对第 3 部分及第 4 部分所描述的电路进行测量。 屏蔽: 测量固有噪声时,消除外来噪声源是很重要的。常见的外来噪声源有:电源线路“拾取”(“拾取”是指引入外来噪声,比如 60Hz 噪声)、监视器噪声、开关电源噪声以及无线通信噪声。通常利用屏蔽外壳将所测电路放置于其中。屏蔽外壳通常由铜、铁或铝制成,而重要的是屏蔽外壳应与系统接地相连。 一般来说,电源线缆和信号线缆是通过外壳上的小孔连接到屏蔽外壳内电路的。这些小孔尽可能地小,数量也要尽可能地少,这一点非常重要。实际上,解决好接缝、接合点以及小孔的(电磁)泄露,就可以实现较好的屏蔽效果。 [1] 图 6.1 举例显示了一种极易构建且非常有效的屏蔽外壳,该屏蔽外壳是采用钢漆罐制成的(这些材料可从绝大多数五金商店买到,而且价格也不高)。漆罐有紧密的接缝,并且罐盖的设计可以使我们方便地接触到所测电路。请注意,I/O 信号是采用屏蔽式同轴线缆进行连接的,该同轴线缆采用 BNC 插孔-插孔式连接器将其连接到所测试的电路;BNC 插孔-插孔式连接器壳体与漆罐进行电气连接。外壳唯一的泄露路径是将电源连接到所测电路的三个香蕉插头 (banana connector)。为了实现最佳的屏蔽效果,应确保漆罐密封紧固。 图 6.2 为测试用漆罐装配示意图

                               
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图6.1:使用钢漆罐进行测试。

                               
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图6.2:测试用漆罐装配示意图。
检测噪声底限 一个常见的噪声测量目标是测量低噪声系统或组件的输出噪声。通常的情况是,电路输出噪声太小,以至于绝大多数的标准测试设备都无法对其进行测量。通常,会在所测试电路与测试设备之间放一个低噪声升压放大器 (boost amplifier)(见图 6.3)。采用该种配置的关键是升压放大器的噪声底限要低于所测电路的输出噪声,从而使得所测电路噪声能在测量中反映出来。经验规则显示,升压放大器的噪声底限应比所测电路输出端的噪声小三倍。在下文中将给出该规则的理论解释。在进行噪声测量时,对噪声底限进行检测是特别重要的一个步骤。通常情况下,噪声底限是通过将增益模块或测量仪器的输入短路而测得的。第 5 部分详细阐述了不同类型设备的噪声底限测量。若不能检测出噪声底限,通常会导致错误的结果。

                               
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图6.3:常用的测量技术。

                               
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图6.4:测量噪声底限。

噪声底限说明 为获得最佳测量结果,测量系统的噪声底限相对于所测的噪声水平而言,应是可以忽略不计的。一个常用的经验规则是确保噪声底限至少比所测的噪声信号小三倍。图 6.5 显示了如何对所测电路的噪声输出和噪声底限进行矢量增加操作 (add as vector)。图 6.6显示了假设所测噪声比噪声底限大三倍的误差分析。使用该经验规则所得出的最大误差是 6%。若噪声底限比所测噪声小 10 倍,并进行同样的计算,则误差将为 0.5%。



                               
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图 6.5:噪声向量加。

                               
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图 6.6:噪声底限误差(单位:百分比)
使用真有效值(RMS)表对OPA627示例电路进行测量 回忆一下在第 3 部分和第 4 部分我们分析了一款使用 OPA627 的非反相运算放大器电路。现在我们将阐述如何使用一个真有效值 (RMS) 表对该噪声进行测量。图 6.7 阐明了 OPA627 的测试配置。请注意,此测试配置的所测结果与第 3 部分和第 4 部分计算及模拟数值基本吻合(计算结果为 325uV,测量结果为 346uV)。图 6.8 说明了噪声测量的详细步骤。

                               
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图 6.7:使用一个真有效值 (RMS) 表对 OPA627 电路噪声进行测量。

                               
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图 6.8:测量噪声步骤。
使用示波器测量 OPA627 示例电路 图 6.9 显示了如何使用一个示波器对第 3 部分和第 4 部分的电路进行测量。使用时,观察示波器上的噪声波形并估计峰至峰数值。假设噪声是呈高斯分布(也称正态分布)的,则您可以将其除以 6,以获得 RMS 噪声的近似值(关于详细情况见第 1 部分)。所测的示波器近似输出为 2.4mVp-p,因此 RMS 噪声为 2.4mVp-p/6=400uV rms。这与第 3 部分和第 4 部分的计算和模拟数值相比,有很好的一致性。(计算值为 325uV,测量值为 400uV)。

                               
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图 6.9:用示波器测量 OPA627 电路噪声。

                               
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图 6.10:示波器显示的结果。

测量 OPA227 的低频噪声 许多产品说明书都规定了从 0.1 Hz 到 10 Hz 的峰至峰噪声参数。这有效地给出了运算放大器的低频(也就是 1/f 噪声)概念。在一些情况下将以示波器波形形式给出;而在其它情况下,则以参数表形式列出。图 6.10 显示了一种测量从 0.1Hz 到 10Hz 噪声的有效方法。该电路采用了二阶 0.1Hz 高通与四阶 10Hz 低通串联滤波器,增益为 100。所测设备 (OPA227) 置于高增益配置(噪声增益=1001)下,因为预计 1/f 噪声很小,并且必须放大到可用标准测试设备进行测量的范围内。请注意,图 6.10 中电路的总增益为 100100(也就是 100x1001)。因此,输出信号应除以 100100 以将信号复原到输入。 图 6.11 中所示电路的所测输出如图 6.12 所示。图 6.12 为从 OPA227 产品说明书中截取的一张图表。所测结果的范围可除以总增益,以得出运算放大器的输入范围(也就是,5mV/100100 = 50nV)。请注意,实际产品说明书曲线与期望的产品说明书曲线有很好的一致性。

                               
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图 6.11:低频噪声测量测试电路。

                               
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图 6.12:低频噪声测量测试电路结果。
低频噪声测量中的失调温度漂移与 1/f 噪声的关系 测量放大器 1/f 噪声的一个难题是:我们通常很难将 1/f 噪声与失调温度漂移分离开来。请注意,在典型的实验室环境下,周围环境温度会有 ±3C 的波动。设备周围的气流会造成失调电压的低频变化,与 1/f 噪声看上去很类似。图 6.12 比较了 OPA132 在热稳定环境下与在典型实验室环境下的输出。假设最坏情况下的运算放大器漂移,在典型实验室环境下,失调电压漂移将为 60uV 左右(根据产品说明书(10uV/C)(6C) = 60uV)。图 6.12 中的放大器增益为 100,因此输出漂移的近似值为 6mV(即 (60uV)(100) = 6mV)。 将失调电压漂移的效应从 1/f 噪声中分离开来的一种方法是将所测设备置入一个热稳定环境中。该环境必须在整个测量过程中,都保持设备的温度恒定(变化范围在 ±0.1C 内),并且也应尽可能减少温度梯度。实现该目的的一个简单方法是将电子惰性填充液注入到漆罐中,并在整个测试过程中都将设备浸在液体中。热传导氟化液通常可用于该类型的测试,因为它们的电阻很高,热阻抗也很高。并且,它们也是生物惰性材料,并且无毒性[2]。

                               
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图 6.13: OPA132 在实验室与热稳定环境中的表现。
测量 OPA627 的噪声频谱密度曲线 正如我们在本丛书中见到的,在噪声分析中频谱密度参数是一种特别重要的工具。尽管绝大多数的产品说明书都提供了该信息,但工程师有时也会进行实际测量,以验证公布的数据。图 6.14 中的电路显示了一种简单的测试结构,可以对电压噪声频谱密度进行测量。 请注意,用于本测量的频谱分析仪的带宽是从 0.064Hz 到 100kHz。这样的带宽范围可对许多放大器的 1/f 区和宽带区进行特征测量。此外,请注意频谱分析仪内部配置为直流耦合模式,而不是交流耦合模式,因为它的下限截止频率为 1Hz,1/f时的读数精度不高。然而,还是应将运算放大器电路与频谱分析仪进行交流耦合,因为相对噪声来说,直流失调电压很大。因此,运算放大器电路结合使用外部耦合电容 C1 和频谱分析仪的输入阻抗 R3 进行交流耦合。该电路的下限截止频率为 0.008Hz(这对我们的 1/f 测量不会造成干扰,因为频谱分析仪的最小频率为 0.064Hz)。请注意 C1 实际上是并联的多个陶瓷电容(不推荐在本应用中使用电解质电容和钽电容)。 图 6.14 中放大器配置的另一个考虑因素是反馈网络的值。第 3 部分中我们说过并联 R1 和 R2 (Req = R1||R2) 用于热噪声和偏置电流噪声的计算。该阻抗的数值应最小化,以使得所测噪声为运算放大器电压噪声(也就是说,偏置电流噪声和电阻热噪声的影响可忽略不计)。

                               
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图 6.14:运算放大器噪声频谱密度的测量电路。

在所有的噪声测量中,要检验频谱分析仪的噪声底限是否小于运算放大器电路。图 6.14 所示例子中,放大器的增益是 100,以将输出噪声提高到频谱分析仪的噪声底限之上。请谨记该配置会限制高频带宽(带宽=增益带宽乘积/增益=16MHz/100=160kHz),从而,噪声频谱密度曲线将在较低频率时呈现下降趋势。图 6.14 中的例子并不受这一问题的影响,因为高频下降趋势在频谱分析仪带宽之外产生(噪声频谱下降趋势出现在 160kHz,而频谱分析仪的最大带宽是 100kHz)。 图 6.15 显示了频谱分析仪的测量结果。请注意,数据是在数个不同的频率范围采集的(0.064 Hz 到 10 Hz,10 Hz 到 1 kHz,以及 1 kHz 到 100 kHz)。这是因为本例中的频谱分析仪使用了线性频率扫描对数据进行采集。例如,如果每隔 0.1Hz 采集一个数据点,则在低频时精度将太差,而在高频时精度又将超出要求。并且在宽泛的频率范围内使用低精度也要求特别多的数据点(比如,0.1Hz 的精度与 100kHz 的带宽要求 1x106 点)。另一方面,如果您对不同的频率使用不同的精度,则您可以在每个频率范围内均获得很好的精度,而不需要使用特别多的数据点。例如,从 0.064 Hz 到 10 Hz 的精度可设置为 0.01Hz,而从 1kHz 到 100kHz 的精度则可设置为 100Hz。

                               
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图 6.15:测量不同频率范围上的频谱密度。
图 6.16 突出了在频谱分析仪测量结果中的常见异常。第一个异常是来自外部的噪声拾取。本例特别显示了 60Hz 以及 120Hz 时的噪声拾取。频谱分析仪的内部振荡器也会产生噪声。在理想的环境下,通过屏蔽,可以将噪声拾取降到最小。不过,实际中噪声拾取通常是不可避免的。关键问题在于要确定频谱中的噪声“脉冲”是不是由噪声拾取引起的,或者是确定其是不是设备固有噪声频谱密度的组成部分。 图 6.15 中所示的频谱密度曲线中的另一个常见异常是在给定测量频率范围内,最小频率处产生的相对较大的误差。为了更好地理解该误差,我们可以认为频谱测量是通过在整个频谱内扫描带通滤波器完成的。例如,假设频率范围是从 1Hz 到 1kHz,并且带通滤波器的分辨率带宽是 1Hz。在该频率范围内,带通滤波器的分辨率带宽在高频处相对较窄,而在低频处相对较宽。现在可以考虑带通滤波器的边缘在低频时从 1/f 噪声引入较大误差。图 6.17 图示了该误差。 理解不同的测量异常可以对误差进行矫正。比如,通过在几个频率范围上测量数据,并在频率范围低端去掉几个数据点,您可以得出更精确的结果。在我们的例子中,从 0.0625 Hz 到 10 Hz 的频率范围与 10 Hz 到 1 kHz 的频率范围交迭。(10Hz, 1kHz)频率范围包含了一些 10Hz 以下的错误数据,因此要去掉这些错误数据。在频谱密度测量中可以省略掉噪声拾取(比如,60Hz 的噪声),因为它不是运算放大器固有噪声的组成部分。 图 6.18 显示了本例所测量的噪声频谱密度曲线,去掉了异常读数。图 6.18 中的数据还要除以所测电路增益,以使频谱密度指示运算放大器输入。最后,对数据进行了平均。

                               
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图 6.16:频谱密度测量结果的常见异常。

                               
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图 6.17:最小频率处的测量结果,包括误差在内。

                               
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图 6.18:频谱密度测量结果。
将 OPA627 的频谱密度测量与产品说明书中的曲线进行比较,我们发现了一个有趣的结果。宽带噪声的测量结果和产品说明书中的参数非常吻合,但是 1/f 噪声测量则与参数有很大不同。事实上,1/f 噪声与参数的偏差并不令我们感到很意外。在本丛书的第 7 部分,我们将详细讨论这一问题。

                               
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图 6.19:所测的频谱密度与产品说明书中参数的比较。
总结和展望: 在本文中我们列举了几个不同的噪声测量例子。这些例子中所表明的方法可用于绝大多数的常规模拟电路。在第 7 部分中,我们将讨论与运算放大器内部设计相关的问题。理解运算放大器内部噪声的基本关系将有助于电路板以及系统层面的设计人员对绝大多数产品说明书中都未明确的噪声特征有很好的认识。特别是,我们将讨论在最坏情况下的噪声、噪声漂移,以及 CMOS 和 Bipolar 电路的区别。 感谢 特别感谢 TI 的技术人员,感谢他们在技术方面所提供的真知灼见。这些技术人员包括: * 高级模拟 IC 设计经理 Rod Burt
* 设计工程经理 Jerry Doorenbos
* 应用工程经理 Tim Green
* 刚刚故去的 Mark R. Stitt 参考书目与信息 [1] 《电子系统的噪声抑制技术》,作者:Henry W. Ott ,第二版,由约翰威立父子出版公司 (John Wiley & Sons Inc.) 出版。
[2] http://www.solvaysolexis.com/ 作者:德州仪器 (TI) 高级应用工程师 Art Kay 关于作者: Arthur Kay现任TI的高级应用工程师,负责传感器信号调节器件的支持工作。他于1993年毕业于乔治亚理工学院(Georgia Institute of Technology),获电子工程硕士学位。他曾在Burr-Brown与Northrop Grumman公司担任过半导体测试工程师。
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发表于 2009-1-9 18:09:18  | 显示全部楼层

运算放大器电路的固有噪声分析与测量(七):放大器的内部噪声

本文将讨论决定运算放大器 (op amp) 固有噪声的基本物理关系。集成电路设计人员在噪声和其他运算放大器参数之间进行了一些性能折衷的设计,而电路板和系统级设计人员将从中得到一些启发。另外,工程师们还能了解到,如何根据产品说明书的典型规范在室温及超过室温时估算最坏情况下的噪声。 最坏情况下的噪声分析和设计的五条经验法则 大多数运算放大器产品说明书列出的仅仅是一个运算放大器噪声的典型值,没有任何关于噪声温度漂移的信息。电路板和系统级设计人员希望能根据典型值找出一种可以估算最大噪声的方法,此外,这种方法应该还可以有效地估算出随着温度变化的噪声漂移。这里给出了一些有助于进行这些估算的基本的晶体管噪声关系。但是为了能准确地利用这些关系,我们有必要对内部拓扑结构(如偏置结构和晶体管类型等等)进行一些了解。不过,如果我们考虑到最坏情况下的结构,也可以做一些包括大多数结构类型的概略性说明。本节总结了最坏情况下的噪声分析和设计的 5 条经验法则。下一节给出了与这些经验法则相关的详细数学计算方法。 1. 经验法则一 对半导体工艺进行一些改变,不会影响到宽带电压噪声。这是因为运算放大器的噪声通常是由运算放大器偏置电流引起的。一般说来,从一个器件到另一个器件的偏置电流是相对恒定的。在一些设计中的噪声主要来自输入 ESD 保护电阻的热噪声。这样的话,宽带噪声的变化超过典型值的 10% 是非常不可能的。事实上,许多低噪声器件的这种变化一般都低于 10%。请参见图 7.1 示例。 宽带电流噪声要比电压噪声更容易受影响(主要是对双极工艺而言)。这是因为电流噪声与基极电流密切相关,而基极电流又取决于晶体管电流增益 (beta)。通常来说,宽带电流噪声频谱密度的变化不到 30%。

                               
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2. 经验法则二 放大器噪声会随着温度变化而变化。对于许多偏置方案 (bias scheme) 来说(如,与绝对温度成正比的方案,PTAT),噪声以绝对温度的平方根成正比地增大,因此在大范围的工业温度内噪声的变化相对很小(如,在 25℃ 至 125 ℃之间仅发生 15% 的变化)。但是,一些偏置方案(如,Zero-TC)可以产生与绝对温度成正比的噪声。对于这种最坏情况而言,在同一温度范围内噪声变化为 33%,请参见图 7.2 图解。

                               
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3. 经验法则三 1/f 噪声(如,闪烁噪声)极易受工艺影响。这是因为晶体结构制造工艺过程中会产生一些瑕疵,1/f 噪声的产生则与这些瑕疵有关。因此,只要半导体工艺得到很好的控制,那么 1/f 噪声就不会出现较大的漂移。制造或工艺变化都会给 1/f 噪声带来巨大的变化。大多数情况下器件产品说明书都给出了 1/f 噪声的最大值,却没有提及工艺或最终测试时对器件进行的测量。如果产品说明书没有给出 1/f 噪声的最大值,那么,假定在并没有对工艺控制进行优化来减少 1/f 噪声的情况下,三种变化因素可用来估算最坏情况下的噪声,请参见图 7.3。

                               
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4. 经验法则四 电路板和系统级设计人员需要了解的一点是,Iq 和宽带噪声呈负相关。严格来说,噪声与运算放大器输入差动级的偏置相关。但是,由于这类信息还没有正式公布过,所以我们可以假定 Iq 与差动级偏置成正比。对于低噪声放大器来说,这个假设是成立的。 一般说来,宽带噪声与 Iq 的平方根成反比。但是,对于不同的偏置方案这个反比关系也会发生变化。此条经验法则有助于电路板和系统级设计人员更好地了解 Iq 和噪声之间的折衷方法。例如,设计人员不应该指望放大器带有极低的静电流,进而产生低噪声。图 7.4 图解说明了该关系。

                               
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5. 经验法则五 FET 运算放大器固有电流噪声非常低。这也说明了双极与 FET 晶体管以及噪声之间的差异。因为 FET 放大器的输入栅极电流比双极放大器的输入基极电流小得多。相反,在给定一个偏置电流值(如,输入级的集电极电流或漏极电流)的情况下,双极放大器具有更低的电压噪声,请参见图 7.5 的多个示例。

                               
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双极噪声的详细数学计算方法 图 7.6 表明了双极晶体管噪声模型的原理。图 7.7(方程式 1、2 和 3)中给出了双极晶体管的基本噪声关系。在该部分中,我们将利用这些方程式,以得出一些基本关系,而经验法则就是基于这些基本关系得出的。

                               
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1. 利用方程式 1 进行分析:双极热噪声 方程式 1 说明了一个双极晶体管基极中的物理电阻热噪声。在一个集成电路运算放大器中,电阻器通常是由与差动输入级基极串联的 ESD 保护电路提供的,如图 7.8 所示。在一些情况下,这种噪声是主要的噪声源。对大多数集成电路工艺而言,为该电阻设置 ±20% 容差值是合理的。图 7.9 显示,输入电阻出现 20% 的变化时噪声会相应地发生 10% 的变化。

                               
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2. 利用方程式 2 进行分析:双极集电极散粒噪声 方程式2给出了一个双极晶体管集电极散粒噪声的关系。为了更好的理解这种关系,将其转换成一个电压噪声 Vcn(见图 7.10)可以说是好处多多。如果输入级偏置方案为已知项,则可以进行一步将公式简化。运算放大器输入级偏置方案有两类型,一类是可以迫使集电极电流与绝对温度 (PTAT) 成正比。对于一个与绝对温度成正比的偏置方案来说,集电极电流可以被视为一个常量与绝对温度的乘积。图 7.11显示了简化的 Vcn 方程式,该方程式基于一个 PTAT 偏置方案。其主要的计算结果是,噪声与温度的平方根成正比,而与 Ic 的平方根成反比。这样的计算结果说明了低噪声放大器总是具有强静态电流的原因。第四个经验法则就是据此得出的。该计算结果还表明,运算放大器噪声会随温度升高而增大。这就是第二个经验法则的理论基础。

                               
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在一个集电极电流偏置不会随温度变化而发生漂移的“Zero-TC”配置中,运算放大器输入级同样会被偏置。图 7.12 显示了基于 Zero-TC偏置结构的简化的 Vcn 方程式。其主要的计算结果是,噪声与温度的平方根成正比,而与 Ic 的平方根成反比。由于受温度变化的影响很大,所以 Zero-TC 配置与 PTAT方法相比有不足的方面。需要注意的是,按照第二经验法则,这是最坏情况下的表现。

                               
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当 Ic 变动时,可以利用图 7.11 和图 7.12 的计算结果来确定噪声的改变量。在两种情况下,噪声均与 Ic 的平方根成反比。在一款集成电路运算放大器设计中,噪声通常主要来自差动输入级。不幸的是,产品说明书并没有给出有关该放大器偏置的信息。为了得到一个大概的估算值,您可以假设 Ic 的变化是与静态电流 (Iq) 的变化成正比例的。总之,输入级偏置要比 Iq 更好控制,因此这是一个保守的估算值。图 7.13 显示了一款 OPA227 在最坏情况下的噪声估算值。需要注意的是,在此情况下,Iq 的变化对噪声几乎没有影响。就大部分实际设计而言,这种变化不会超过 10%。请注意,热噪声变量和散粒噪声变量(Ic 变量)均不大于 10% 是第一个经验法则的理论基础。

                               
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3. 利用方程式 3 进行分析:双极基极散粒噪声和闪烁噪声 方程式 3 描述的是双极晶体管基极散粒噪声和闪烁噪声,该噪声源与运算放大器中的电流噪声相类似。也可以将该电流噪声转换成电压噪声(请参见图 7.14)。对 PTAT 和 Zero-TC 偏置结构进行分析,可不像对集电极电流散粒噪声进行分析那么简单。这是因为偏置方法是为了对集电极电流进行控制而设计的,并且此种关联不会跟随基极电流。例如,一款带有 Zero-TC 集电器电流的器件不会有 Zero-TC 基极电流,因为双极电流增益随温度的变化而变化。 方程式 3 中的散粒噪声分量是造成宽带电流噪声的主要原因。请注意,电流噪声与 Ib 的平方根成正比,这就是宽带电流噪声要比宽带电压噪声更容易受影响的原因所在。Ib 的变化是由晶体管的电流增益 (beta) 造成的。 请注意,散粒噪声分量的形式与方程式 2 中的噪声分量形式相同。因此,除很难预计基极电流的温度系数以外,其他分析方法是一样的。所以为了简化起见,我们将不会把 Ib 散粒噪声的温度信息包括在内。 如图 7.14 所示,我们可以将闪烁噪声分量转换成一个电压噪声。请注意,闪烁噪声随温度的升高而增大,并随 Ic 的变化而降低。然而,闪烁噪声极易受工艺变化的影响,以至于闪烁噪声常量的变化可能会成为噪声的主要来源。这不同于常量不受工艺变化影响的宽带情况。第二个经验法则就是基于这个基本关系得出的。

                               
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FET 噪声详细的数学计算方法 图 7.15 为 MOSFET 和 JFET 晶体管噪声模型示意图。图 7.16(方程式 4 和 5)给出了 FET 晶体管的基本噪声关系。在这一节里,我们将利用这些方程式来说明该经验法则也同样适用于 FET 晶体管。图 7.17 为处理过的热噪声方程式,该方程式用于强反相 (strong inversion) FET 的 PTAT 和 Zero-TC 偏置。强反相是指 FET 偏置区。强反相的计算结果为热噪声与 Id 的四次方根成反比。热噪声与绝对温度的平方根成正比还是与绝对温度的四次方根成正比取决于偏置类型。因此,与双极放大器相比,Iq 或温度上的变化对强反相 FET 放大器的影响要小得多。

                               
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图 7.18 给出了将一个热噪声方程式用于弱反相 FET 的 PTAT 和 Zero-TC 偏置的操作。弱反相是指 FET 偏置区。弱反相的计算结果为热噪声与 Id 的平方根成反比。热噪声与温度成正比还是与温度的平方根成正比取决于偏置类型。因此,弱反相 FET 放大器和电流及温度的关系与双极偏置放大器和电流及温度的关系相似。

                               
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图 7.19为处理过的闪烁噪声方程式,该方程式用于强反相 FET 的 PTAT 和 Zero-TC 偏置。请注意,方程式中的“a”为介于 0.5 和 2 之间的一个常数。因此,闪烁噪声可能和 Id 成正比,或者和 Id 的幂成反比,这取决于“a”的值。对于一款 Zero-TC 偏置方案来说,闪烁噪声的值并不取决于温度。对于一款 PTAT 偏置方案来说,闪烁噪声和温度的平方根成正比。

                               
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图 7.20 显示了用于计算一个弱反相 FET 的 PTAT 和 Zero-TC 偏置的闪烁噪声方程式。请注意,“a”是一个介于 0.5 至 2 之间的常数。因此,在所有情况下,闪烁噪声都与 Id 的幂成反比。就一个 Zero-TC 偏置而言,闪烁噪声将会与绝对温度成正比;就一个 PTAT 偏置而言,温度关系则取决于 a 的值。

                               
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总结与概述 本文中,我们讨论了一些有助于我们对最坏情况下的噪声和与温度相关的噪声进行估算的经验法则。这此经验法则还可以帮助那些电路板和系统级设计人员获得折衷设计的方法,而这些方法正是集成电路设计人员在低噪设计中所采用的。同时,还给出了这些经验法则背后的详细数学计算方法。第 8 部分将主要对 1/f 噪声及“爆米花”噪声进行更深入的探讨。 感谢 特别感谢 TI 的技术人员,感谢他们在技术方面所提供的真知灼见。这些技术人员包括:
* 高级模拟 IC 设计经理 Rod Bert
* 线性产品经理 Bruce Trump
* 应用工程经理 Tim Green
* 高速产品市场开发经理 Michael Steffes 参考书目 《模拟集成电路的分析与设计》,作者:Paul R. Gray 与 Robert G. Meyer,第三版,由 Hamilton Printing Company 出版。 作者简介 Arthur Kay现任TI高级应用工程师,负责传感器信号调节器件的支持工作。他于 1993 年毕业于乔治亚理工学院 (Georgia Institute of Technology),获电子工程硕士学位。他曾在Burr-Brown与Northrop Grumman公司担任过半导体测试工程师。 作者:德州仪器 (TI) 高级应用工程师 Art Kay
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发表于 2009-1-9 18:14:29  | 显示全部楼层

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发表于 2009-2-22 14:48:49  | 显示全部楼层
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发表于 2009-2-22 20:56:27  | 显示全部楼层
这么多啊    要回个帖还要 翻半天啊
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发表于 2009-3-8 09:56:11  | 显示全部楼层
好帖子呀,学到好多知识,:29bb :30bb  :27bb
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发表于 2009-3-30 18:43:28  | 显示全部楼层
:27bb 看来楼主对运放情有独钟哦,不知在那儿找到这莫好的资料谢谢
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发表于 2009-11-1 10:09:24  | 显示全部楼层
很强大啊!
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